晶体中的晶体缺陷有哪些 晶体2113中的缺陷及其对材料性能的影5261响前言晶体的主要特征是其中原子（或分4102子）的规则1653排列，但实际晶体中的原子排列会由于各种原因或多或少地偏离严格的周期性，于是就形成了晶体的缺陷，晶体中缺陷的种类很多，它影响着晶体的力学、热学、电学、光学等各方面的性质。晶体的缺陷表征对晶体理想的周期结构的任何形式的偏离。晶体缺陷的存在，破坏了完美晶体的有序性，引起晶体内能U和熵S增加。按缺陷在空间的几何构型可将缺陷分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷，它们分别取决于缺陷的延伸范围是零维、一维、二维还是三维来近似描述。每一类缺陷都会对晶体的性能产生很大影响，例如点缺陷会影响晶体的电学、光学和机械性能，线缺陷会严重影响晶体的强度、电性能等。一、晶体缺陷的基本类型点缺陷1、点缺陷定义由于晶体中出现填隙原子和杂质原子等等，它们引起晶格周期性的破坏发生在一个或几个晶格常数的限度范围内，这类缺陷统称为点缺陷。这些空位和填隙原子是由热起伏原因所产生的，因此又称为热缺陷。2、空位、填隙原子和杂质空位：晶体内部的空格点就是空位。由于晶体中原子热运动，某些原子振动剧烈而脱离格点跑到表面上，在内部留下了空格。
柯氏气团的位错应力 当晶体中存在缺陷时，克服位错应力所做功为：W=－P△V=4(1+ν)GbR03εsinθ/3r(1－ν)。这个功也就是点缺陷和位错的交互作用能。由此，可以作出以下几点讨论：（1）如果交互作用能为负值，W，则表示位错和溶质原子相互吸引；如果为正值，W>；0，则表示位错和溶质原子相互排斥。（2）交互作用能W∝r-1，即距离位错中心越近，W|越大。但是r不能小于位错宽度，否则无意义。（3）如果ε>；0，表示溶入的溶质原子引起体积膨胀，使交互作用能增加，表示溶质原子和位错相互排斥。对于正刃型位错而言，点缺陷所处的位置不同情况不一样。若π>；θ>；0，即溶质原子位于正刃型位错上方，则W>；0，位错和溶质原子相互排斥。若π<；θπ，即溶质原子位于正刃型位错下方，W，位错和溶质原子相互吸引。所以，对于半径大的置换溶质原子，一定是位于位错受膨胀部分才比较稳定。（4）如果ε，表示溶质原子溶入后晶体体积收缩，对正刃型位错而言，若π>；θ>；0，溶质原子位于位错上方的受压缩部分，W，即意味着在刃型位错压缩区将吸引比溶质原子尺寸小的溶质原子。通常把围绕位错而形成的溶质原子聚集物，称为“柯氏气团”，它可以阻碍位错运动，产生固溶强化效应。类似“柯氏气团”，还有“史氏气团”也。
对诊断甲状腺癌有意义的是 A．弥漫性甲状腺肿大伴有触痛 B．放射性核素扫描为热结节 参考答案：D
