中国无私奉献淡泊名利的科学家 1、郭永怀 1、郭永怀 郭永怀是力学、空气动力学和应用数学方面的专家，是中国核武器事业的奠基人之一，是“两弹一星”的元勋。郭永怀为国防工业做出巨大贡献，可惜在一次。
超晶格量子效应是？ 1969年，著名的物理学家江崎与其合作者朱兆祥首次提出了半导体超晶格的新概念，并于1970年首次在砷化镓半导体上制成了超晶格结构，由此揭开了超晶格、量子阱、量子线和量子点微结构等一类低维材料研究的序幕.迄今为止，这一领域的研究已经取得了令世人瞩目的重大进展，在半导体科学技术发展史上写下了光辉灿烂的一页，留下了浓墨重彩的一笔.尤其值得一提的是，美籍华裔科学家崔琦和德国科学家霍斯特·施特默2人，因于1982年发现了具有高电子迁移率的GaAs/AlAs超晶格材料的调制掺杂异质结中的电子，会在超低温和强磁场条件下形成具有某种特异性的量子流体，并在1年之后，由美国科学家罗伯特·劳克林对这一重大发现作出了理论解释，而共同获得了1998年的诺贝尔物理学奖.此后不久，高电子迁移率晶体管(HEMT)就被设计并制作出来了.目前，这种器件已经发展到由多种异质结构材料和各种结构形式制备的具有各种逻辑功能的HEMT大规模集成电路，并初步用于现代通信和计算机系统.这一事实充分显示了半导体超晶格材料在半导体科学技术中所占据的显赫地位。
MOS管是谁发明的！ MOS管这种结构的出现并不是为了现代的应用目的。在上世纪70年代之前，研究超晶格结构的表面性质时（晶格本身性质如晶格波，晶格传输性质如导电性，晶格的量子效应如量子陷阱，晶格的光学性质如跃迁吸收发光），构建了这个结构。当时最开始时是GaAs/AlGaAs 这种接触，后来发展起来了各种异质结。p-n结也是在这个时期出现的。你可以想像一下，刚出现的一个新学科，人们便一股脑全冲了进去，各种结构探索，各种性能比较，各种其他学科的交叉（第三次科技革命）。现在还在应用的，异质结，P-N结，MOS管只占当时构建出来的很小一部分，其他的因为功能重复等其他原因慢慢被人们抛弃，就剩下现在的几个了基本单元了。所以呢，这个结构不是一个人发明的，是一群人在一段时间内探索出来的，真真是智慧结晶。参考了黄昆的半导体物理。
