MOS管的引脚，G、S、D分别代表什么？ G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS（PMOS）管也存在，是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。扩展资料MOS管有很多种类，也有很多作用。做电源或者驱动的使用，当然就是用它的开关作用。无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。参考资料来源：—MOS管
请问，N-MOS、P-MOS分别指N沟道MOS管和P沟道MOS管吗？它们的剖面图和工艺版图是怎样的。求帮助 MOS依照其“通2113道”的极性不同，可分为'N\"沟与‘5261p“沟的MOSFET结构。如图是4102典型平面N沟道增强型MOSFET的剖面1653图。它用一块P型硅半导体材料作衬底（图la），在其面上扩散了两个N型区（图lb），再在上面覆盖一层二氧化硅(SiO2）绝缘层（图1c），最后在N区上方用腐蚀的方法做成两个孔，用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极：G(栅极）、S（源极）及D（漏极），如图1d所示。平面N沟道增强型MOSFET从图中可以看出栅极G与漏极D及源极S是绝缘的，D与S之间有两个PN结。一般情况下，衬底与源极在内部连接在一起。扩展资料：mos管是金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。场效应管(FET)，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的跨导，定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片(P沟道耗尽型MOS管)。而P沟道常见的为低压mos管。P。
