电力MOSFET输出特性曲线分为哪三个区？ 电力MOSFET的输出特性分为：（1）截止区（对应于GTR的截止区）；（2）饱和区（对应于GTR的放大区）；（3）非饱和区（对应于GTR的饱和区）。电力MOSFET工作在开关状态，即在。
nmos，pmos传输门为什么会损失阈值电压 我来说明2113nmos传输高电平时的阈值损失已知截止条件5261：VGS，线性条件：VDS，饱和条件VDS＞VGS－VTH。先画1653电路图，漏端接Vin输入，源端接Vout输出并联一个电容，衬底b接地，栅端接VDD。得VGS=VDD，VDS=VDD推出VDS＞VGS－VTH，NMOS管工作在饱和区，对负载电容充电，输出电压上升，源漏电压下降，当Vout=VDD－VTH时，即VGS=VDD－Vout=VTH。沟道在源处夹断nmos截止。所以nmos传输高电平有阈值损失。(漏端想传递源端的电压，但在漏端电压Vd=VDD－VTH时nmos管截止，电压不会再升高，所以存在阈值损失。
最低0.27元开通文库会员，查看完整内容>；原发布者：tonyfordCCD的基本结构和工作原理电荷耦合器636f7079e79fa5e9819331333433623830件的突出特点是以电荷作为信号，而不同于其他大多数器件是以电流或电压为信号。CCD的基本功能是电荷的存储和电荷的转移。因此，CCD工作过程的主要问题是信号电荷的产生、存储、传输和检测。CCD有两种基本类型：一是电荷包存储在半导体与绝缘体之间的界面，并沿界面传输，这类器件称为表面沟道CCD（简称SCCD）；二是电荷包存储在离半导体表面一定深度的体内，并在半导体体内沿一定方向传输，这类器件称为体沟道或埋沟道器件（简称BCCD）。下面以SCCD为主讨论CCD的基本工作原理。1.CCD的基本结构构成CCD的基本单元是MOS（金属—氧化物—半导体）结构。如图2-7(a)所示，它是在p型Si衬底表面上用氧化的办法生成1层厚度约为1000？～1500？的SiO2，再在SiO2表面蒸镀一金属层(多晶硅)，在衬底和金属电极间加上1个偏置电压，就构成1个MOS电容器。当有1束光线投射到MOS电容器上时，光子穿过透明电极及氧化层，进入p型Si衬底，衬底中处于价带的电子将吸收光子的能量而跃入导带。光子进入衬底时产生的电子跃迁形成电子－空穴对，电子－空穴对在外加电场的。
