关于增强型MOSFET的沟道电阻，为什么栅极氧化层变薄可以降低沟道单位电阻值？ 准确地说是氧化层减小，同样栅压下导致的纵向电场就会变强，沟道内载流子浓度增加，从而沟道电流能力增加。
MOSFET的栅极材料详细说明 MOSFET的栅极材料 理论上MOSFET的栅极应该尽可能选择电性良好的导体，多晶硅在经过重掺杂之后的导电性可以用在MOSFET的栅极上，但是并非完美的选择。MOSFET使用多晶硅作为。
n沟道耗尽型MOSFET在栅氧化层中通常会掺入什么物质，从而形成导电沟道？p沟道的呢？另外，具体是掺在栅氧化层的什么位置呢？
