在晶体的某滑移面a上有一位错环，位错环的柏氏矢量 b垂直于滑移面试问位错环在切应力的作用下的运动 所说的半位错应该是指不全位错，全位错是指柏氏矢量是单位点阵矢量的整数倍的位错，不全位错是指柏氏矢量不是单位点阵矢量的整数倍的位错。例如：面心立方中，在｛111｝晶面族上，a/2〈110〉是全位错，而a/6〈112〉，a/3〈111〉就是不全位错.前者是肖克莱不全位错，后者是弗兰克不全位错，面角位错是指带有两个不全位错和两片层错构成的位错组态，又称压杆位错。具体的形成是两个在不同面上的扩展位错在两面的交线处由各自在前端的两个不全位错发生反应所产生的位错，是纯刃型位错，是固定位错。扩展资料：通过位错绕过第二相粒子时产生的位错环比较有特点，在滑移面上运动着的位错遇到坚硬不变形并且比较粗大的第二相粒子时，将受到粒子的阻挡而弯曲，随着外加应力的增加，位错线受阻部分的弯曲加剧，以致围绕着粒子的位错线在左右两边相遇时，正负号位错彼此抵消，形成了包围着粒子的位错环而被留下，其余部分位错线又恢复直线继续前进。这种位错环多见于被辐照的材料当中，是一种典型的缺陷。位错环上与柏氏矢量垂直的两处是刃型位错，与柏氏矢量平行的两处是螺型位错，其余部分均为混合型位错。参考资料来源：-位错环
柏氏矢量的意义？ 柏氏矢量用来描述位错区域原子的畸变特征（包括畸变发生在什么晶向以及畸变有多大）的物理参量，称为柏氏矢量（Burgers vector）。它是一个矢量，1939年由柏格斯（J.M。.
位错的形成、运动和增殖有哪些？ 位错的形成 晶体内部位错的发育主要有两种重要的来源，即原生位错和应力感生位错。原生位错是晶体内部固有的，或者说是在晶体结晶时已经形成的位错。晶体内原生位错的大小与密度取决于晶体生长的速度和晶体生长时介质的性质。应力感生位错是晶体遭受应力作用时由于晶格结构的调整而形成的位错。变形晶体所受差应力值大小对于应力感生位错的密度有着重要影响。在一定的变形温度和压力条件下，差应力越大时，产生的应力感生位错密度越大，而较高的温度经常使得应力感生位错重新组织和消失而导致位错密度降低。位错的运动 位错是晶体内部的缺陷，也是晶体内部的不平衡部位。Meike（1990）研究证明孤立的自由位错具有最大的自由能。在外部应力的持续作用下，或者随着温度的升高，晶体内部位错随着自由能增加而发生运动，并组织起来形成各种不同的位错亚构造。位错运动是位错增殖和形成各种位错亚构造并导致晶体变形的主要途径，其运动与组织的总体趋势是使得晶体内能降低。位错的运动有两种主要方式，即位错滑移与位错攀移。位错滑移（dislocation glide）在剪应力作用下，原子发生位错是在包含其伯格斯矢量的平面上运动，位错在晶体内沿滑移面不运动称为位错滑移。由。
