闵乃本的主要成就 闵乃本于20世纪60年代初开始从事晶体生长、晶体缺陷与晶体物性研究。他在国内首次研制成功“电子束浮区区熔仪”并制备成功钼、铌、钨等体心立方高熔点金属单晶体。该工作于1964年获国家计委、国家经委与国家科委颁发的工业新产品奖二等奖。1960—1982年，闵乃本与合作者共同发展了能显示位错线与位错网络的蚀象方法，确定了体心立方高熔点金属中构成亚晶界的位错结构与位错组态。他们首次观察到螺位错的端点双折射象并发展了包含内应力的弹光与弹性各向异性立方晶体中螺位错端点象的成像理论。他们关于晶体缺陷的研究于1982年获国家自然科学奖二等奖。闵乃本与合作者提出了各向异性变键模型，系统地研究了原子的多体交互作用在晶面对表面能、台阶能、表面粗糙化以及晶体生长动力学的影响。在热致表面粗糙化方面的成果，使闵乃本于1983年获美国犹他大学等单位联合颁发的“大力神”奖。闵乃本将超晶格的概念由半导体推广到介电体，发现了一系列新颖的现象与效应，并且证明了这些现象与效应在光电子产业中有重大应用，例如非线性光学频率的转换、光学双稳、微波波段极化激元(Polariton)的激发等。他在该领域首次制备成功具有周期铁电畴结构的铌酸锂，稍后被称为光学超。
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闵乃本的获奖记录 曾获 1964年工业新产品二等奖、1982年国家自然科学二等奖、1983年美国犹他大学及习弹公司颁发的大力神奖、1986年国家教委科技进步二等奖、1994年国家教委科技进步二等奖。1995年被评为全国优秀教师，1997年获国家级教学成果一等奖。编著的《晶体生长的物理基础》一书获国家优秀科技图书一等奖。在2006年度国家科学技术奖励大会上，闵乃本院士领衔完成的《介电体超晶格材料的设计、制备、性能和应用》获国家自然科学奖一等奖。这也是自1999年国家奖励制度改革以来内地高校独立完成的首个国家自然科学一等奖。闵乃本于1998年获何梁何利基金科技进步奖—物理奖，于1999年获第三世界科学院基础科学奖—物理奖，于2005年获国家自然科学奖二等奖，于2007年获国家自然科学奖一等奖；其中关于发现了铁电畴的自发极化决定于生长层中的溶质浓度梯度的论文[JMaterialsScience17(1982)1663]于2000年获美国科学信息研究所(ISI)经典论文奖；关于一维人工准晶研究被“863”高技术新材料专家委员会评为1997年十大科技成果，被科技部评为1998年中国基础研究十大进展；离子型声子晶体研究被教育部评为1999年中国高等学校十大科技成果，被科技部评为1999年中国基础研究十大新闻，并被中国科学院。
