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位错攀移的激活能 攀移时位错运动方向和位错线

2021-04-07知识15

位错攀移的激活能2113Uc由割阶形成的激活能Uj及空5261位的扩散激活能Ud两部4102分所组成。若晶体经过塑性1653形变,因位错交割已经形成大量割阶,则Uc=Ud。一般Uj=1eV,而Ud较大,如对Fe,Ud=2.5eV,室温时kT=0.026eV,由此可见,在常温下位错靠热激活来攀移是很困难的。但是,在许多高温过程,如蠕变、回复、单晶拉制中,攀移起着重要的作用。例如,经塑性变形的晶体,位错无规则的分布在滑移面上,但若加热到一定温度,这些位错会通过攀移离开原来的滑移面,在位错之间的相互作用下沿纵向排列起来,从而消除大部分的内应力。所以位错攀移在低温下是难以进行的,只有在高温下才能发生。

几何必须位错的概念是什么,及其对塑性的影响 1、定义位错又可称为差排(英文:dislocation),在材料科学中,指晶体材料的一种内部微观缺陷,即原子的局部不规则排列(晶体学缺陷)。从几何角度看,位错属于一种线缺陷。

螺型位错为什么不会发生攀移运动 螺位错没有多余的半原子面,所以不能攀移运动。

#攀移时位错运动方向和位错线

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