超晶格量子效应是？ 1969年，著名的物理学家江崎与其合作者朱兆祥首次提出了半导体超晶格的新概念，并于1970年首次在砷化镓半导体上制成了超晶格结构，由此揭开了超晶格、量子阱、量子线和量子点微结构等一类低维材料研究的序幕.迄今为止，这一领域的研究已经取得了令世人瞩目的重大进展，在半导体科学技术发展史上写下了光辉灿烂的一页，留下了浓墨重彩的一笔.尤其值得一提的是，美籍华裔科学家崔琦和德国科学家霍斯特·施特默2人，因于1982年发现了具有高电子迁移率的GaAs/AlAs超晶格材料的调制掺杂异质结中的电子，会在超低温和强磁场条件下形成具有某种特异性的量子流体，并在1年之后，由美国科学家罗伯特·劳克林对这一重大发现作出了理论解释，而共同获得了1998年的诺贝尔物理学奖.此后不久，高电子迁移率晶体管(HEMT)就被设计并制作出来了.目前，这种器件已经发展到由多种异质结构材料和各种结构形式制备的具有各种逻辑功能的HEMT大规模集成电路，并初步用于现代通信和计算机系统.这一事实充分显示了半导体超晶格材料在半导体科学技术中所占据的显赫地位。
半导体物理的作品目录 第1章 量子力学初步1.1 量子力学的诞生1.2 物质波1.3 力学量算符与薛定谔方程1.4 定态波函数1.5 波函数的性质1.6 归一化波函数1.7 波函数的统计解释—劳厄(Lauer)衍射公式1.8 求解定态问题的步骤1.9 定态问题实例1.10 测不准原理1.11 电子的自旋1.12 简谐微扰量子跃迁几率1.13 泡利不相容原理第2章 半导体材料的成分与结构2.1 半导体材料的导电能力2.2 半导体的晶体结构2.3 倒格矢2.4 晶体结构的测量2.5 常见半导体的晶体结构第3章 晶体中电子的能带3.1 能级分裂与能带的形成3.2 量子力学处理3.3 能带图的表示方法3.4 晶体中电子的运动3.5 电子的经典近似3.6 外力与波矢的关系3.7 电子的加速度及有效质量3.8 能带填充情况与电流3.9 金属、半导体、绝缘体3.10 空穴3.11 硅、锗和砷化镓的能带特点3.12 半导体材料中的杂质和缺陷能级3.13 化合物半导体中的杂质能级3.14 施主、受主的类氢模型3.15 各种因素对禁带宽度的影响第4章 半导体中的电子统计分布4.1 状态密度4.2 费米一狄拉克分布4.3 本征半导体与非本征半导体4.4 只含一种杂质的半导体4.5 饱和电离区的范围4.6 费米能级与掺杂浓度的关系4.7 简并半导体4.8 杂质补偿。
固体物理 固体物理(材料科学与工程系列)目录：第1章绪论1 1.1人类对固体的研究历史1 1.2自然界中的固体及固体物理学4 本章参考书7 第2章化学键与晶体形成8 2.1离子键和离子。
