硅光电池特性

硅光电池的伏安特性曲线都有哪些特点：（ⅰ）电池的U-I曲线的斜率表示内阻的大小，通过斜率的变化判断内阻的变化．当外电压为0时，此时的电流为短路电流，电流为0时，？硅光电池的光电特性中，光照度与什么成线性关系 硅光电池是一种直接把光能转换成电能的半导体器件.它的结构很简单，核心部分是一个大面积的PN 结，把一只透明玻璃外壳的点接触型二极管与一块微安表接成闭合回路，当二极管的管芯(PN结)受到光照时，你就会看到微安表的表针发生偏转，显示出回路里有电流，这个现象称为光生伏特效应.硅光电池的PN结面积要比二极管的PN结大得多，所以受到光照时产生的电动势和电流也大得多.硅光电池的工作原理是光生伏特效应.当光照射在硅光电池的PN结区时，会在半导体中激发出光生电子一空穴对.PN结两边的光生电子一空穴对，在内电场的作用下，属于多数载流子的不能穿越阻挡层，而少数载流子却能穿越阻挡层.结果，P区的光生电子进入N区，N区的光生空穴进入p区，使每个区中的光生电子一空穴对分割开来.光生电子在N区的集结使N区带负电，光生电子在p区的集结使P区带正电.P区和N区之间产生光生电动势.当硅光电池接人负载后，光电流从P区经负载流至NE，负载中即得到功率输出.提高硅光电池频率特性的方法？ ，硅片与受光层形成的PN结构是硅光电池的核心部分，而抗反射膜则是为了提高硅光电池的性能，它可以提高光的吸收率和增加电能量的转化率.