（8分）1932年美国化学家鲍林首先提出了电负性的概念。电负性(用X表示)也是元。 （8分）1932年美国化学家鲍林首先提出了电负性的概念。电负性(用X表示)也是元素的一种重要性质，若 x 越大，其原子吸引电子的能力越强，在所形成的分子中成为带负电荷的。
氮化硅是一种重要的结构陶瓷材料，具有优良性能． （1）N原子核外电子数为7，由能量最低原理可知核外电子排布式为1s22s22p3，2p能级3个电子分别占据1个轨道，单电子数目为3，同周期自左而右电负性增大，同主族自上而下电负性减小，故电负性N>；C>；Si，故答案为：1s22s22p3；3；N>；C>；Si；（2）碳热还原法制氮化硅是在氮气中用碳还SiO2，反应生成Si3N4、CO，化学方程式为：6C+2N2+3SiO2△.Si3N4+6CO，氮化硅一般不与酸反应，但能与氢氟酸反应，反应生成SiF4与NH4F，反应方程式为：Si3N4+16HF=3SiF4+4NH4F，故答案为：6C+2N2+3SiO2△.Si3N4+6CO；Si3N4+16HF=3SiF4+4NH4F；（3）三氯化硅烷（SiHCl3）分子中Si原子形成4个σ键，没有孤对电子，三氯硅烷分子的空间构型为四面体形，杂化轨道数目为4，Si原子采取sp3杂化，故答案为：四面体形；sp3杂化；（4）氮化硅、碳化硅晶体中原子之间形成共价键，键能大，键牢固，化学性质稳定，故答案为：晶体中原子之间形成共价键，键能大，键牢固；（5）碳化硅立方晶系晶胞中，体内Si原子与周围的4个C原子形成正四面体结构，C-Si-C键的夹角是109°28′；原子之间形成共价键，向空间延伸的立体网状结构，属于原子晶体；晶胞中Si原子数目为4、C原子数目为8×18+6×12=4，则晶胞质量为4×(28+12)。
为什么第一电离能硅小于碳？ 碳化硅中硅显+4价，失电子，第一电离能不是应该大吗？ 可是规律却是硅的 你说的依据是电负性，不能把第一电离能与之混淆。
