如何评价「天才少年」曹原再次连发两篇魔角石墨烯的 Nature？ 相信不少搞科研（搬砖）的小伙伴们又双叒被大神曹原的这条新闻刷屏（深深刺激）了。犹记得，那是2018年的…
科技领域看得到的「圣杯」都有哪些？ 圣杯」，是指实现起来难度很大，离决定性突破仍遥遥无期，但是我们已经取得了一些进展，一旦实现能彻底…
半导体物理中 热缺陷 形成的原理？ 热缺陷是由于晶体中的原2113子(或离子5261)的热运动而造成的缺陷，从几何图4102形上看是一种点缺陷，热缺1653陷的数量与温度有关，温度愈高，造成缺陷的机会愈多。晶体中热缺陷有2种形态，一是肖脱基(Schotty)缺陷，2是弗仑克尔(Frenkel)缺陷。1)肖脱基缺陷由于热运动，晶体中阳离子及阴离子脱离平衡位置，跑到晶体表面或晶界位置上，构成一层新的界面，而产生阳离子空位及阴离子空位，不过，这些阳离子空位与阴离子空位是符合晶体化学计量比的。如：MgO晶体中，形成Mg2+和O2-空位数相等。而在TiO2中，每形成一个Ti4+离子空位，就形成两个O2-离子空位。肖脱基缺陷实际产生过程是：由于靠近表面层的离子热运动到新的晶面后产生空位，然后，内部邻近的离子再进入这个空位，这样逐步进行而造成缺陷。2）弗仑克尔缺陷弗仑克尔缺陷形成过程为：一种离子脱离平衡位置挤入晶体的间隙位置中去，形成所谓间隙（或称填隙）离子，而原来位置形成了阳离子或阴离子空位。这种缺陷的特点是间隙离子和空位是成对出现的。弗仑克尔缺陷除与温度有关外，与晶体本身结构也有很大关系，若晶体中间隙位置较大，则易形成弗仑克尔缺陷。如AgBr比NaCl易形成这种缺陷。
