什么叫刷新，为什么要刷新，刷新有几种方法 刷新原因—2113—因电容泄漏而引起的DRAM所存信息的衰减需要5261及时补充，因4102此安排了定期刷新操作；常用的刷新方1653法有三种—集中式、分散式、异步式。集中式：在最大刷新间隔时间内，集中安排一段时间进行刷新；分散式：在每个读/写周期之后插入一个刷新周期，无CPU访存死时间；异步式：是集中式和分散式的折衷。
集中刷新，分散刷新，异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少 一个 8K×8 位的动态 RAM 芯片，其内部结构排列成 256×256 形式，存取周期为 0.1 μ s。试问采用集中刷新、分散刷新和异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少？解：采用分散刷新方式刷新间隔为：2ms，其中刷新死时间为：256×0.1 μ s=25.6 μ s采用分散刷新方式刷新间隔为：256×（0.1 μ s+×0.1 μ s）=51.2 μ s采用异步刷新方式刷新间隔为：2ms解析：(1).设DRAM中电容的电荷每2ms就会丢失，所以2ms内必须对其补充。补充电荷是按行来进行的，为了【全部】内存都能保住电荷，必须对【所有】的行都得补充。假设刷新1行的时间为0.1μs（刷新时间是等于存取周期的。因为刷新的过程与一次存取相同，只是没有在总线上输入输出。顺便说一下存取周期＞真正用于存取的时间，因为存取周期内、存取操作结束后仍然需要一些时间来更改状态。对于SRAM也是这样，对于DRAM更是如此）。并假设按存储单元(1B/单元)分为64行64列。（256×256个单元×1B/单元=2^16个单元×1B/单元=64KB内存<；=>；8K*8）。集中刷新：快到2ms的时候，停止一切对内存的读取操作，使用0.1μs×256对256行依次刷新。这将占用25.6μs。在这25.6μs中，内存只用来刷新，阻塞一切存取操作。补充一点给楼主：为什么刷新与。
什么是动态存储器的刷新？有哪些常见的刷新方式？他们各有何特点？动态存储器要刷新的原因：分布电容的容量很小，能维持工作管T1和T2工作的时间有限，通常为毫秒级。。
