主力与晶体结构的关系式，说明为什么晶体滑移通常 位错运动的点阵阻力与晶体结构的表达式，派纳力公式如下：a代表滑移面间距，b为位错柏氏矢量长度，μ为泊松比.派纳力决定于晶体滑移面和滑移方向，对于同种晶体，滑移面间距a增大则派纳力减小，a减小则派纳力增大，所以晶体的滑移面应该是滑移面间距a最大的面（此时阻力最小），即为最密排面；原子最密排方向上两个平衡原子间距离最小，滑移所需的能量最低，所以晶体滑移通常发生在原子最密排的晶面和晶向.
给出位错运动的点阵主力与晶体结构的关系式，说明为什么晶体滑移通常发生在原子最密排的晶面和晶向。 您想问位错运动的点2113阵阻力与晶体结构的表达式5261？派纳力公式如下4102：a代表滑移面间距，b为位错1653柏氏矢量长度，μ为泊松比。派纳力决定于晶体滑移面和滑移方向，对于同种晶体，滑移面间距a增大则派纳力减小，a减小则派纳力增大，所以晶体的滑移面应该是滑移面间距a最大的面（此时阻力最小），即为最密排面；原子最密排方向上两个平衡原子间距离最小，滑移所需的能量最低，所以晶体滑移通常发生在原子最密排的晶面和晶向。老师刚留了类似的问题，顺手回答一下，希望能够帮到您。
四种强化机制及原理 1、形变强化形变强化：随变形程度的增加，材料的强度、硬度升高，塑性、韧性下降的现象叫形变强化或加工硬化。机理：随塑性变形的进行，位错密度不断增加，因此位错在运动。
