黄昆的主要成就 40年代首次提出固体中杂质缺陷导致 X光漫散射的理论（被誉为黄散射），证明了无辐射跃迁绝热近似和静态62616964757a686964616fe59b9ee7ad9431333361303030耦合理论的等价性，澄清了这方面的一些根本性问题。他和学生详细分析了Ⅲ-Ⅴ族化合物的量子阱和超晶格的空穴带的电子状态，发展了一种适用于超晶格结构的简单有效的计算方法，从而对量子阱和超晶格结构中空穴子带的性质、价带杂化和外加电场等对量子阱和超晶格中激子吸收的影响做了理论计算。他和学生系统研究了超晶格中的长波光学振动模式，指出流行的连续介电模型的结果是不对的，基于他在1951年提出的偶极振子晶格模型，他们提出了一个能描述迄今了解的实验事实的理论模型，得到了在一维和二维的量子系统中纵向光学振动和横向光学振动的类体模的正确描述。他们的这项工作对理解半导体超晶格的光学性质、光散射效应、电子和格波的相互作用起到了重要作用。黄昆与朱邦芬提出的超晶格光学声子模式，被称为“黄—朱模型”。黄昆受到爱丁堡大学玻恩教授（M.Born）的赏识，被邀合著《晶格动力学》一书。这本专著至今仍是固体物理学领域的权威著作，从1975年至2001年3月，该书的英文版被引用5254次，俄文版被引用376。
芯片最小能做到多少纳米，达到极限后，该如何突破瓶颈？目前，手机处理器是7nm，台积电即将量产5nm芯片，未来还有3nm、2nm，甚至1nm。根据台积电研发负责人在谈论半导体：-。
多量子阱与超晶格的区别与联系是什么 都是两2113种或以上的半导体材料交替5261生4102长出的周期性薄层的微结1653构材料专，我的理解，不同的在于，多量属子阱由于量子限域效应，即当其一维多量子阱薄层线度与电子的德布罗意波长可比拟时，电子态呈量子化，连续的能带变为分立的能级，形成驻波形式的波函数，且势垒足够厚，可近似认为相邻量子阱中的波函数无耦合.而超晶格 势垒层很薄，势阱之间耦合强烈，人称耦合多量子阱.此时多量子阱的各分立能级延展为能带.叫做超晶格，是因为其周期化薄层线度远大于晶格常数.但通常为几nm、几十nm，与电子平均自由程（德布罗意波长）可比拟。
