如何确定半导体是直接带隙还是间接带隙的？测试方法或公式等。请详细说明。万分感谢。间接带隙半导体材料（如Si、Ge）导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。
直接带隙和间接带隙有什么区别？ 有个链接很好，想详细了解操作细节的可以点这里Ref【1】http：//www. physics.smu.edu/scalise /P5337fa11/notes/ch07/chapter7.pdf 关于Brillouin Zone，其实直观上的理解就是。
如何确定半导体是直接带隙还是间接带隙的？ 确定半导体是直接带隙还是间接带隙的可以用光致发光光谱。光效率很大的话差不多就是直接带隙，发光效率低的话就是间接带隙。直接带隙材料吸收光谱应该能比较明显地区分出本。
