为什么离子注入前要生长一层薄的氧化层？ 增强离子进入时方向的随机性，抑制离子注入的沟道效应。你好！对硅材料进行注入么？并没有听说过注入前必须要形成什么氧化层的，但是有道工艺是做TFT的SD掺杂，一般会形成。
半导体材料中，离子注入与离子掺杂有什么区别？ 离子注入是离2113子参杂的一种。随着VLSI器件的发展5261，到了70年代，器件尺4102寸不断减小，结深降到16531um以下，扩散技术有些力不从心。在这种情况下，离子注入技术比较好的发挥其优势。目前，结深小于1um的平面工艺，基本都采用离子注入技术完成掺杂。离子注入技术已经成为VLSI生产中不可缺少的掺杂工艺。离子注入具有如下的特点 ①可以在较低温度下（400℃）进行，避免高温处理。②通过控制注入时的电学条件（电流、电压）可以精确控制浓度和结深，更好的实现对杂质分布形状的控制。而且杂质浓度不受材料固溶度的限制。③可选出一种元素进行注入，避免混入其他杂质。④可以在较大面积上形成薄而均匀的掺杂层。同一晶片上杂质不均匀性优于1％，且横向掺杂比扩散小的多。⑤控制离子束的扫描区域，可实现选择注入并进而发展为一种无掩模掺杂技术。离子注入技术应用领域 2．1 离子注入应用于金属材料改性 离子注入应用于金属材料改性，是在经过热处理或表面镀膜工艺的金属材料上，注入一定剂量和能量的离子到金属材料表面，改变材料表层的化学成份、物理结构和相态，从而改变材料的力学性能、化学性能和物理性能。具体地说，离子注入能改变材料的声学、光学和超导。
芯片里面有几千万的晶体管是怎么实现的？ 关键点不是操作的步骤，而是怎么弄的那么小，毕竟，按照普通人的理解，细都头发丝就很难准确操作了，希…
