关于工程化学的一些问题 1、催化剂后降低了反应活化能，只是改变了反应的速度，不会改变反应的方向.2、应该是电极电势代数值较小的电对中的还原态物质，不是较大的那个.3、ΔrGm=ΔrHm-RT ΔrSm.逆反应在高温下变为自发进行的反应，说明高温下ΔrSm是大于零的.那么正反应是ΔrSm(标)
热传导，热辐射，热传递三者的区别与联系 热从温度高的物体传到温度低的物体，或者从物体的高温部分传到低温部分，这种现象叫做热传递。热传递是自然界普遍存在的一种自然现象。只要物体之间或同一物体的不同部分。
影响纳米材料光催化性能的因素 最低0.27元开通文库会员，查看完整内容>；原发布者：daisyzhangyang二、影响纳米材料光催化活性的因素。1、半导体的能带位置半导体的带隙宽度决定了催化剂的光学吸收性能。半导体的光学吸收阈值λg与Eg有关，其关系式为：λg=1240/Eg。半导体的能带位置和被吸附物质的氧化还原电势，从本质上决定了半导体光催化反应的能力。热力学允许的光催化氧化还原反应要求受体电势比半导体导带电势低（更正）；而给体电势比半导体价带电势高（更负）。导带与价带的氧化还原电位对光催化活性具有更重要的影响。通常价带顶VBT越正，空穴的氧化能力越强，导带底CBB越负，电子的还原能力越强。价带或导带的离域性越好，光生电子或空穴的迁移能力越强，越有利于发生氧化还原反应。对于用于光解水的光催化剂，导带底位置必须比H+H2O(-0.41eV)的氧化还原势负，才能产生H2，价带顶必须比O2/H2O(+0.82eV)的氧化还原势正，才能产生O2，。因此发生光解水必须具有合适的导带和价带位置，而且考虑到超电压的存在，半导体禁带宽度Eg应至少大于1.8eV。目前常被用作催化剂的半导体大多数具有较大的禁带宽度，这使得电子-空穴具有较强的氧化还原能力。2、光生电子和空穴的分离和捕获光激发产生的电子和空穴可。
