半导体器件的分类 现在被称作半导体器件的种类如下所示。按照其制造技术可分为分立器件半导体、光电半导体、逻辑IC、模拟62616964757a686964616fe58685e5aeb931333363373766IC、存储器等大类，一般来说这些还会被再分成小类。此外，IC除了在制造技术上的分类以外，还有以应用领域、设计方法等进行分类，最近虽然不常用，但还有按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类的方法。此外，还有按照其所处理的信号，可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。半导体器件的种类：一、分立器件1、二极管A、一般整流用B、高速整流用：①FRD（Aast Recovery Diode：高速恢复二极管）②HED（Figh Efficiency Diode：高速高效整流二极管）③SBD（Schottky Barrier Diode：肖特基势垒二极管）C、定压二极管（齐纳二极管）D、高频二极管①变容二极管②PIN二极管③穿透二极管④崩溃二极管/甘恩二极管/骤断变容二极管2、晶体管①双极晶体管②FET（Fidld Effect Transistor：场效应管）Ⅰ、接合型FETⅡ、MOSFET③IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极晶体管)3、晶闸管①SCR(Sillicon Controllde Rectifier：硅控整流器)/三端双向可控硅②GTO（Gate 。
砷化镓 是怎么合成的？ 砷化镓材料的制备 砷化镓材料的制备 与硅相仿，砷化镓材料也可分为体单晶和外延材料两类。体单晶可以用作外延的衬底材料，也可以采用离子注入掺杂工艺直接制造集成电路。
场效应管的类型 标准电压下的耗尽型场效应管。从左到右依次依次为：结型场效应管，多晶硅金属—氧化物—半导体场效应管，双栅极金属—氧化物—半导体场效应管，金属栅极金属—氧化物—半导体场效应管，金属半导体场效应管。耗尽层，电子，空穴，金属，绝缘体.上方：源极，下方：漏极，左方：栅极，右方：主体。电压导致沟道形成的细节没有画出掺杂FET（解释如下）的沟道用来制造N型半导体或P型半导体。在耗尽模式的FET下，漏和源可能被掺杂成不同类型至沟道。或者在提高模式下的FET，它们可能被掺杂成相似类型。场效应晶体管根据绝缘沟道和栅的不同方法而区分。FET的类型有：DEPFET（Depleted FET）是一种在完全耗尽基底上制造，同时用为一个感应器、放大器和记忆极的FET。它可以用作图像（光子）感应器。DGMOFET（Dual-gate MOSFET）是一种有两个栅极的MOSFET。DNAFET是一种用作生物感应器的特殊FET，它通过用单链DNA分子制成的栅极去检测相配的DNA链。FREDFET（Fast Recovery Epitaxial Diode FET）是一种用于提供非常快的重启（关闭）体二极管的特殊FET。HEMT（高电子迁移率晶体管，High Electron Mobility Transistor），也被称为HFET（异质结场效应晶体管，heterostructure FET）。
