如何判断位错能否在滑移面上运动 一个简单的立方复晶体中，制假若在晶体上部的2113右方施加一个外力，5261则晶体上部的院子将4102自右向左发生滑移1653，这个滑移是逐步的，一个原子面接着一个原子面地进行；此时若撤去外力，滑移就停止了，那么晶体内部就出现了一个多余的原子面，而左上部分晶体尚未发生滑移，也就是说这个时候晶中多出半个原子面，晶体的周期性遭到了破坏，形成了缺陷，这就是刃型位错。刃型位错的运动方式就应该是滑移。并且位错线的方向与晶体滑移的方向或者说外力的方向是垂直的。
材料钉扎和变形，位错的关系 材料钉扎阻碍位错运动，材料变形会使位错密度增大，而大的位错密度又会使位错塞积，阻碍位错运动。
位错的形成、运动和增殖有哪些？ 位错的形成 晶体内部位错的发育主要有两种重要的来源，即原生位错和应力感生位错。原生位错是晶体内部固有的，或者说是在晶体结晶时已经形成的位错。晶体内原生位错的大小与密度取决于晶体生长的速度和晶体生长时介质的性质。应力感生位错是晶体遭受应力作用时由于晶格结构的调整而形成的位错。变形晶体所受差应力值大小对于应力感生位错的密度有着重要影响。在一定的变形温度和压力条件下，差应力越大时，产生的应力感生位错密度越大，而较高的温度经常使得应力感生位错重新组织和消失而导致位错密度降低。位错的运动 位错是晶体内部的缺陷，也是晶体内部的不平衡部位。Meike（1990）研究证明孤立的自由位错具有最大的自由能。在外部应力的持续作用下，或者随着温度的升高，晶体内部位错随着自由能增加而发生运动，并组织起来形成各种不同的位错亚构造。位错运动是位错增殖和形成各种位错亚构造并导致晶体变形的主要途径，其运动与组织的总体趋势是使得晶体内能降低。位错的运动有两种主要方式，即位错滑移与位错攀移。位错滑移（dislocation glide）在剪应力作用下，原子发生位错是在包含其伯格斯矢量的平面上运动，位错在晶体内沿滑移面不运动称为位错滑移。由。
