TO-247封装的IGBT海飞乐技术是哪里的芯片？ 欧洲的晶圆厂，台湾HIGHSEMI的IGBT芯片：600V15A、16A、19A、20A、600V22A、23A、24A、25A的IGBT、26A、27A、600V28A、29A、30A的IGBT、33A、36A、600V37A的IGBT单管、38A、40A、42A、45A、48A、600V49A的IGBT单管、50A、52A、53A、55A的IGBT1200V25A、30A、33A、35A的IGBT单管、36A、38A、1200V40A、42A、45A、50A、55A、60A、1200V16A的IGBT。包括：3300V、4500V、6500V的芯片。
IGBT是什么 怎么分类 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。分类1、低功率IGBTIGBT应用范围一般都在600V、1KA、1KHz以上区域，为满足家电行业的发展需求，摩托罗拉、ST半导体、三菱等公司推出低功率IGBT产品，实用于家电行业的微波炉、洗衣机、电磁灶、电子整流器、照相机等产品的应用。2、U-IGBTU（沟槽结构）-IGBT是在管芯上刻槽，芯片元胞内部形成沟槽式栅极。采用沟道结构后，可进一步缩小元胞尺寸，减少沟道电阻，进步电流密度，制造相同额定电流而芯片尺寸最少的产品。现有多家公司生产各种U—IGBT产品，适用低电压驱动、表面贴装的要求。3、NPT-IGBTNPT（非穿通型）-IGBT采用薄硅片技术，以离子注进发射区代替高复杂、高本钱的。
变频器里的IGBT都是一片一片的的吗。我今天拆了一个变频器，IGBT装在一个散热铁片上吗？我没有见过IGBT，不知是不是很小的东西？IGBT芯片本来很小，因为很小所以不方便连接。
