资剑的主要研究成果有 1、首次从理论上给出了应变超晶格生长的最佳合金衬底。2、解决了Si/Ge体系中啦曼谱与实验与理论长期存在的矛盾等。3、建立了纳米颗粒喇曼散射的微观理论模型，首次从微观理论研究了纳米Si中声子的啦曼散射，所提出的框架的论文被国际同行引用22次，理论公式已经被实验同行采用。4、首次提出了光子带隙材料异质结和量子阱结构，可以大大增加不透射带宽，以及实现频道数目可以随意调节的多频道滤波现象，在光通讯中有重要用途；首次提出可以用二维光子带隙材料来制作偏振器，其原理与传统偏振器的完全不同，性能优异。5、开展光子带隙材料在国防科技上的应用，理论上证明了用光子带隙材料制作红外隐身材料的可行性等。在国内外核心刊物上发表论文50多篇，在Progress in Surface Science发表45页综述文章，申请国家发明专利3项，论文被引用130余次。1992年获德国洪堡基金会奖学金；1993年获教育部科技进步二等奖（第一）；1996年获国家杰出青年基金。
请问半导体的发展历程是怎样的？和它的前景？ 更多精彩内容，请登录维库电子通（wiki.dzsc.com） 常见的半导体材料现状及趋势 1、硅材料 从提高硅集成电路成品率，降低成本看，增大直拉硅（CZ－Si）单晶的直径和减小微。
超晶格量子效应是？ 1969年，著名的物理学家江崎与其合作者朱兆祥首次提出了半导体超晶格的新概念，并于1970年首次在砷化镓半导体上制成了超晶格结构，由此揭开了超晶格、量子阱、量子线和量子点微结构等一类低维材料研究的序幕.迄今为止，这一领域的研究已经取得了令世人瞩目的重大进展，在半导体科学技术发展史上写下了光辉灿烂的一页，留下了浓墨重彩的一笔.尤其值得一提的是，美籍华裔科学家崔琦和德国科学家霍斯特·施特默2人，因于1982年发现了具有高电子迁移率的GaAs/AlAs超晶格材料的调制掺杂异质结中的电子，会在超低温和强磁场条件下形成具有某种特异性的量子流体，并在1年之后，由美国科学家罗伯特·劳克林对这一重大发现作出了理论解释，而共同获得了1998年的诺贝尔物理学奖.此后不久，高电子迁移率晶体管(HEMT)就被设计并制作出来了.目前，这种器件已经发展到由多种异质结构材料和各种结构形式制备的具有各种逻辑功能的HEMT大规模集成电路，并初步用于现代通信和计算机系统.这一事实充分显示了半导体超晶格材料在半导体科学技术中所占据的显赫地位。
