M-O的金属有机化合物 英文全称：metallo-organic compound中文全称：金属有机化合物 高纯金属有机化合物即MO源是先进的金属有机化学气相沉积（简称MOCVD）、金属有机分子束外延（简称MOMBE）等技术生长化合物半导体材料的支撑材料。化合物半导体材料是21世纪信息技术—光电子技术的基础。MO源的研制是集极端条件下的制备、超纯纯化、超纯分析、超纯灌装等于一体的现代高新技术。南京大学“国家863计划新材料MO源研究开发中心”是中国MO源产品研制和MO源生产技术研究的主要基地，“中心”先后承担了多项MO源研制的国家“863”高技术发展计划项目和国家科技攻关，在MO源的合成方法、纯化技术、分析方法及灌装技术等方面都取得了重大进展，已经研制出近二十个MO源的主要品种，主要产品的纯度达到99.9999%（6.0N），其中已有十二个品种通过了国家权威部门组织的鉴定或验收，产品总体质量已处于世界同类产品先进水平，部分产品的质量达到世界领先水平。已经建成多个MO源研制专用实验室，其中120m2的超净室，用于MO源产品的超纯纯化、超净样品处理、超净分析和超纯产品灌装。自行设计和监制了MO源合成和纯化专用设备—无氧无水惰性气体操作箱及性能优越的高纯MO源封装容器。确立了MO源电感偶合。
超纯金属的制备方法 超纯金属的制备有化学提纯法如精馏（特别是金属氯化物的精馏及氢还原）、升华、溶剂萃取等和物理提纯法如区熔提纯等（见硅、锗、铝、镓、铟）。其中以区熔提纯或区熔提纯与其他方法相 结合最有效。由于容器与药剂中杂质的污染，使得到的金属纯度受到一定的限制，只有用化学方法将金属提纯到一定纯度之后，再用物理方法如区熔提纯，才能将金属纯度提到一个新的高度。可以用半导体材料锗及超纯金属铝为例说明典型的超纯金属制备及检测的原理（见区域熔炼）。提纯金属时，杂质的分配系数对提纯金属有重大的关系，由于锗中大部分杂质的分配系数都小于1，所以锗的区熔提纯是十分有效的。半导体材料的纯度，也可用电阻率来表征。区域提纯后的金属锗，其锭底表面上的电阻率为30～50欧姆·厘米时，纯度相当于8～9，可以满足电子器件的要求。但对于杂质浓度小于[KG2]10原子/厘米[KG2]的探测器级超纯锗，则尚须经过特殊处理。由于锗中有少数杂质如磷、砷、铝、镓、硅、硼的分配系数接近于1或大于1，要加强化学提纯方法除去这些杂质，然后再进行区熔提纯。电子级纯的区熔锗锭用霍尔效应测量杂质(载流子)浓度，一般可达10～10原子/厘米。经切头去尾，再利用多次拉晶和切割头尾，一直达到。
