简要分析加工硬化，细晶强化，固熔强化及弥散强化在本质上有何异同 相同点：都是位错运动受阻，增加了位满运动的阻力，使得材料得到强化。不同点：①加工硬化：位错塞积、位错阻力和形成割阶消耗外力所做的功为其可能机制；②细晶强化：增加。
几何必须位错的概念是什么，及其对塑性的影响 1、定义位错又可称为差排（英文：dislocation），在材料科学中，指晶体材料的一种内部微观缺陷，即原子的局部不规则排列（晶体学缺陷）。从几何角度看，位错属于一种线缺陷。
为何金属理论切变强度远大于实际的求具体机制，如位错机制。
金属材料常用的强化方式及机理是什么？请说明这些方式的机理，谢谢。金属材料常用的强化方式有细晶强化、固溶强化、第二相强化、加工硬化。1 细晶强化 通过细化晶粒而使。
弗兰克位错的形成与运动机制具体是啥样？ 密排面抽取一层将形成：肖克利不全位错，弗兰克说WMA比MP3先进的讲法是站不住脚的，其实他们的原理是一样的，在高比率的，
位错的形成、运动和增殖有哪些？ 位错的形成 晶体内部位错的发育主要有两种重要的来源，即原生位错和应力感生位错。原生位错是晶体内部固有的，或者说是在晶体结晶时已经形成的位错。晶体内原生位错的大小与密度取决于晶体生长的速度和晶体生长时介质的性质。应力感生位错是晶体遭受应力作用时由于晶格结构的调整而形成的位错。变形晶体所受差应力值大小对于应力感生位错的密度有着重要影响。在一定的变形温度和压力条件下，差应力越大时，产生的应力感生位错密度越大，而较高的温度经常使得应力感生位错重新组织和消失而导致位错密度降低。位错的运动 位错是晶体内部的缺陷，也是晶体内部的不平衡部位。Meike（1990）研究证明孤立的自由位错具有最大的自由能。在外部应力的持续作用下，或者随着温度的升高，晶体内部位错随着自由能增加而发生运动，并组织起来形成各种不同的位错亚构造。位错运动是位错增殖和形成各种位错亚构造并导致晶体变形的主要途径，其运动与组织的总体趋势是使得晶体内能降低。位错的运动有两种主要方式，即位错滑移与位错攀移。位错滑移（dislocation glide）在剪应力作用下，原子发生位错是在包含其伯格斯矢量的平面上运动，位错在晶体内沿滑移面不运动称为位错滑移。由。
位错在金属晶体中运动可能会受到哪些阻力 晶格阻力、晶界阻力（晶界阻碍位错运动，即位错塞积机制）、位错之间相互缠结，形成扭折与割阶，另外还有第二相粒子对其阻碍作用，分为不可变形微粒的位错绕过机制以及可变形微粒的位错切割机制。
