位错的几种观察方法 间接观察，若材料32313133353236313431303231363533e58685e5aeb931333330333633中的位错线与材料表面相交（俗称位错“露头”），则交点 一个螺位错附近的晶面排列情况处附近由于位错应力场的存在，其化学稳定性将低于表面的其它部分。若用酸性腐蚀剂（如氢氟酸和硝酸的混合溶液）对这样的表面进行腐蚀，则位错“露头”处的腐蚀速度将远高于其它部分，可形成一个“腐蚀坑”。再利用一些表面显微观察技术（如扫描电子显微镜、干涉显微镜等等）便可以观察到位错的“露头”位置。下图中展示了在干涉显微镜下，经上述方法制备得到硅片表面位错腐蚀坑的形态，根据腐蚀坑边缘的形状可以确定硅片的晶体学取向—椭圆形代表硅片表面为(100)晶面，三角形代表硅片表面为(111)晶面。若施加外力令材料发生一系列微小变形，则每次变形后某一特定位错都将处(100)硅片表面的位错于不同的位置。如果每次变形后都对材料表面进行腐蚀，则同一位错形成的一系列腐蚀坑将粗略地显示出位错运动的轨迹。直接观察，利用透射电子显微镜（Transmission Electron Microscope，简称TEM）可直接观察到材料微结构中的位错。TEM观察的第一步是将金属样品加工成电子束可以穿过的薄膜。在没有位错存在。
如何判断位错能否在滑移面上运动 一个简单的立方复晶体中，制假若在晶体上部的2113右方施加一个外力，5261则晶体上部的院子将4102自右向左发生滑移1653，这个滑移是逐步的，一个原子面接着一个原子面地进行；此时若撤去外力，滑移就停止了，那么晶体内部就出现了一个多余的原子面，而左上部分晶体尚未发生滑移，也就是说这个时候晶中多出半个原子面，晶体的周期性遭到了破坏，形成了缺陷，这就是刃型位错。刃型位错的运动方式就应该是滑移。并且位错线的方向与晶体滑移的方向或者说外力的方向是垂直的。
圆形位错环上各部分的位错类型如何判断 与柏氏矢量垂直则为刃型位错，与柏氏矢量平行则为螺型位错，处于之间的为混合型位错
怎么根据切应力和柏氏矢量判断螺型位错的运动方向 切应力和柏氏矢量平行就是位错滑移，相垂直就是攀移。
螺型位错的位错线运动方向具体是什么位错线是怎么运动的 螺型位错：位错附近的原子是按螺旋形排列的。螺型位错的位错线与滑移矢量平行，因此一定是直线螺型位错引起的晶体的滑移方向与位错运动方向垂直；对螺型位错，如果在原滑移。
左右螺型位错如何判别啊？ 根据螺旋面bai旋转方向，符合右手du法zhi则（即以右手拇指代表螺旋面dao前进方向回，其他四指答代表螺旋面的旋转方向）的称为右螺旋位错，符合左手法则是左螺旋位错。沿位错线原子面呈螺旋形，每绕轴一周，原子面上升一个原子间距，这种位错称为螺旋位错；螺旋型位错的存在可以提高晶体的生长速度，因为它不存在生长完一层后才能生长新的一层的困难，这就是晶体生长中螺型位错的“触媒”作用，它能大大地加快晶体的生长速度。扩展资料：螺型位错的特征如下：1、螺型位错无多余半原子面，原子错排是呈轴对称的。根据位错线附近呈螺旋形排列的原子旋转方向不同，螺型位错可分为右旋和左旋螺型位错。2、螺型位错线与滑移矢量平行，因此一定是直线。3、纯螺型位错的滑移面不是唯一的。凡是包含螺型位错线的平面都可以作为它的滑移面。但实际上，滑移通常是在那些原子密排面上进行的。4、螺型位错线周围的点阵也发生了弹性畸变，但只有平行于位错线的切应变而无正应变，即不会引起体积膨胀和收缩，且在垂直于位错线的平面投影上，看不到原子的位移，看不到有缺陷。5、螺型位错周围的点阵畸变随离位错线距离的增加而急剧减少，故它也是包含几个原子宽度的线缺陷。参考。
位错线方向怎么判断 我也刚学到这一块，位错线方向好像是人为规定的，即从纸背指向纸面
老师，如何判断这个位错环里ABCDE各为何种位错？尤其是这里面的左右螺旋形位错该如何判断？ A为右螺旋位2113错，B为左螺旋位错5261，C为正刃位错，D为负刃位错，E为混合位错。判断方4102法是根据柏氏1653矢量与位错线所形成的角度，图中位错环所标的方向为位错线的规定方向，柏氏矢量垂直于位错的是刃型位错，然后将柏氏矢量按顺时针方向旋转90°，与位错方向相同的为正，相反的为负，叫做顺正逆负。柏氏矢量与位错方向平行的是螺型位错，方向相同的为右螺，方向相反为左螺，这叫做顺右逆左。除ABCD四点之外位错环上其他任意一点均是混合位错。
