倍增效应定义 这里介绍的是电子学中的倍增效应，也称为雪崩倍增效应。（1）产生倍增效应的先决条件：发生倍增效应的基础或者先决条件是碰撞电离。半导体或绝缘体在高电场作用下，其中。
倍增效应的产生条件 发生倍增效应的基础或者先决条件是碰撞电离。半导体或绝缘体在高电场作用下，其中载流子将加速运动而获得能量（成为热载流子），当载流子能量（动能）大于禁带宽度（实际上应该大于1.5倍禁带宽度）、并与价键上的电子（即价带中的价电子）相碰撞时，就可以产生本征激发—产生出一个电子-空穴对，这就是碰撞电离作用。碰撞电离的强弱用电离率（或电离系数）α来表征，电离率就是一个载流子在强电场作用下，走过单位距离时所产生出来的电子-空穴对的数目。电离率与电场和禁带宽度密切有关：随着电场的增强而指数式增大，随着禁带宽度的增大而指数式减小。
半导体的平均电离能和禁带宽度的区别 你这个问题与本征激发的机理有关。禁带宽度是指利用热激发产生载流子—热电离所需要的平均能量；在室温下，平均热运动能量kT约为0.026eV，但也可以有少量的电子从价带跃迁到导带、而产生出本征载流子。而强电场引起的碰撞电离或者其他粒子激发的电离，所需要的能量就要高于禁带宽度；因为产生出来的电子、空穴还具有一定的动能和动量，则能量和动量守恒的要求，就使得电离能至少要比禁带宽度大一倍半多。这是粗略的估计，仔细分析的确并不简单。价电子是不能在整个晶体中运动的，则不能导电；只有变成为导带的自由电子之后，即已经摆脱了原子实的束缚、并离开了它所属的的原子实以后，才可在整个晶体中运动。关于本征激发概念，若感兴趣的话，可参见“http：//blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明。
半导体中，主要散射机制都是什么？简述其基本原理。未解决问题 等待您来回答 奇虎360旗下最大互动问答社区
什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么 1、本征激发是由于半导体材料内部运动，导致有部分电子脱离共价键的束缚，形成了“自由电子”，使半导体材料内载流子浓度变化的激发过程。
生产半导体的厂子里做设备工程师（维修），对身体真的有伤害吗？ 具体情况要具体分析。半导体厂一般会有有毒有害的物质，但不等于一定会有，也不等于每个设备都有。重点要看你所维修的设备是什么。一般的MOCVD是有毒的。另外，就是维修。
半导体为什么会容易受到温度影响？会产生什么样的后果？
