请问如何能够制作出量子点。（要详细过程） 量子点(quantum dot)是准零维(quasi-zero-dimensional)的纳米材料，由少量的原子所构成。粗略地说，量子点三个维度的尺寸都在100纳米(nm)以下，外观恰似一极小的点状物，其内部电子在各方向上的运动都受到局限，所以量子局限效应(quantum confinement effect)特别显著。由于量子局限效应会导致类似原子的不连续电子能阶结构，因此量子点又被称为「人造原子」(artificialatom)。科学家已经发明许多不同的方法来制造量子点，并预期这种纳米材料在二十一世纪的纳米电子学(nanoelectronics)上有极大的应用潜力。电子在块体材料里，在三个维度的方向上都可以自由运动。但当材料的特征尺寸在一个维度上与光波波长、德布罗意波长以及超导态的相干长度等物理特征尺寸相当或更小时候，电子在这个方向上的运动会受到限制，电子的能量不再是连续的，而是量子化的，我们称这种材料为超晶格、量子阱材料。量子线材料就是电子只能沿着量子线方向自由运动，另外两个方向上受到限制；量子点材料是指在材料三个维度上的尺寸都要比电子的德布罗意波长小，电子在三个方向上都不能自由运动，能量在三个方向上都是量子化的。由于上述的原因，电子的态密度函数也发生了变化，块体材料是抛物。
半导体材料导电方式的最大特点是什么 半导体材料是室温下导电性介于导电材料和绝缘材料之间的一类功能材料.靠电子和空穴两种载流子实现导电，室温时电阻率一般在10-5～107欧·米之间.通常电阻率随温度升高而增大；若掺入活性杂质或用光、射线辐照，可使其电阻率有几个数量级的变化.1906年制成了碳化硅检波器.1947年发明晶体管以后，半导体材料作为一个独立的材料领域得到了很大的发展，并成为电子工业和高技术领域中不可缺少的材料.特性和参数半导体材料的导电性对某些微量杂质极敏感.纯度很高的半导体材料称为本征半导体，常温下其电阻率很高，是电的不良导体.在高纯半导体材料中掺入适当杂质后，由于杂质原子提供导电载流子，使材料的电阻率大为降低.这种掺杂半导体常称为杂质半导体.杂质半导体靠导带电子导电的称N型半导体，靠价带空穴导电的称P型半导体.不同类型半导体间接触（构成PN结）或半导体与金属接触时，因电子（或空穴）浓度差而产生扩散，在接触处形成位垒，因而这类接触具有单向导电性.利用PN结的单向导电性，可以制成具有不同功能的半导体器件，如二极管、三极管、晶闸管等.此外，半导体材料的导电性对外界条件（如热、光、电、磁等因素）的变化非常敏感，据此可以制造各种敏感元件，用于信息转换.半导体材料的。
对于量子阱和超晶格，最常见的平面光学各向异性因素有哪些 (如热、光、电、磁等因素)的变化非常敏感，据此.主要有硅、锗、硒等，以硅、锗应用最广。化合物.气相外延和分子束外延则用于制备量子阱及超晶格等微
超晶格量子效应是？ 1969年，著名的物理学家江崎与其合作者朱兆祥首次提出了半导体超晶格的新概念，并于1970年首次在砷化镓半导体上制成了超晶格结构，由此揭开了超晶格、量子阱、量子线和量子点微结构等一类低维材料研究的序幕.迄今为止，这一领域的研究已经取得了令世人瞩目的重大进展，在半导体科学技术发展史上写下了光辉灿烂的一页，留下了浓墨重彩的一笔.尤其值得一提的是，美籍华裔科学家崔琦和德国科学家霍斯特·施特默2人，因于1982年发现了具有高电子迁移率的GaAs/AlAs超晶格材料的调制掺杂异质结中的电子，会在超低温和强磁场条件下形成具有某种特异性的量子流体，并在1年之后，由美国科学家罗伯特·劳克林对这一重大发现作出了理论解释，而共同获得了1998年的诺贝尔物理学奖.此后不久，高电子迁移率晶体管(HEMT)就被设计并制作出来了.目前，这种器件已经发展到由多种异质结构材料和各种结构形式制备的具有各种逻辑功能的HEMT大规模集成电路，并初步用于现代通信和计算机系统.这一事实充分显示了半导体超晶格材料在半导体科学技术中所占据的显赫地位。
同时制备并测量600对量子纠缠态的量子是个什么水平？ 量子通信之后，中国量子计算机也获世界领先成果http：//m.guancha.cn/Science/2016_08_25_372484.shtml是…
