pice参考时钟的要求 multisim11.0 有没有单片机，如果有怎么仿真，如果没有怎么添加？

multisim中的电流源在哪 1、打开Multisim软件2113，然后可以在最左边可以看到【放置信5261号源】标志4102，如图：2、点1653击【放置信号源】标志，我们会看到有一系列的选项，然后我们可以在这些选项里寻找。在选项里面找到【sources】，如图：3、找到【sources】之后在【sources】里点击【power sources】，如图：4、选择好【power sources】以后，然后可以在右边找到【电源】选项，填写数据，选择你需要的电源，如图：5、然后点击【ok】，如图：6、点击【ok】之后，就可以把电源放到桌面。我们就可以在桌面设置电源属性。如图：7、最后双击电源可以改电源名称和设置参数。就可以设置电源了。扩展资料：取用元器件：取用元器件的方法有两种：从工具栏取用或从菜单取用。下面将以74LS00为例说明两种方法。1、从工具栏取用：Design工具栏？Multisim Master工具栏？TTL工具栏？74LS按钮从TTL工具栏中选择74LS按钮打开这类器件的Component Browser窗口。其中包含的字段有Database name（元器件数库），Component Family（元器件类型表），Component Name List（元器件名细表），Manufacture Names（生产厂家），Model Level-ID（模型层次）等内容。⒉、从菜单取用：通过Place/Place 。请教下，DDR2的数据和时钟之间需要等长控制吗？ 数据参考的是DQS，DQS和时钟之间有等长要求，间接的数据和时钟就有了等长要求，不知道可不可以这么理解。非常复杂的 CPU 电路图是如何做出来的？ 简单来讲，获得设计要求之后，先用hdl语言（硬件描述语言）描述cpu功能，也就是代码设计，然后仿真验证，…proteus怎样设置时钟信号？ 左边工具栏里那个圆形中间有个正弦符号那就是激励源。点进去，找到DCLOCK，放到工作区，双击它，在frequency（HZ）里就可以设你的 了。NAND flash和NOR flash的区别详解 NAND flash和NOR flash的区别一、2113NAND flash和NOR flash的性能比较flash闪存是非易失5261存储器，可以对称为块的存储器单4102元块进行擦写和再编1653程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。1、NOR的读速度比NAND稍快一些。2、NAND的写入速度比NOR快很多。3、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。4、大多数写入操作需要先进行擦除操作。5、NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。二、NAND flash和NOR flash的接口差别NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个。multisim11.0 有没有单片机，如果有怎么仿真，如果没有怎么添加？ 您好，multisim11中是有单片机的，在place MCU库中，首先说明一点，multisim是不适合做单片机仿真的，数字器件少，而且使用繁杂，建议使用proteus。。默认类型为standard，。怎么评价一个算法的效率？ 假如两个算法的时间复杂度都是O(n)，是不是应该考虑n之前的系数？假如A算法需要做1000次比较，100次…在DDR的PCB布线中提到，数据线可以分组等长，各组之间可以不等长，那怎样保证32位数据的时序呢？ 一位同事讲：但是有一个比较值，就是CLK的长度要大于address，address要大于data（may be wrong）。同组间相等。组间的差别不能大于10mm。有网友表示，DDR数据线用DQS来锁存，因此要保持等长。地址、控制线用时钟来锁存，因此需要和时钟保持一定的等长关系，一般等长就没有什么问题。阻抗方面，一般来说DDR需要60欧姆，DDR2需要50欧姆，走线不要打过孔，避免阻抗不连续。串扰方面，只要拉开线距，一层信号一层地，就不会出问题。也有网友表示他们模拟DDR2的结果：时钟对线长误差小于0.5mm；最大长度小于57mm；时钟线与相对地址线7a686964616fe4b893e5b19e31333332633030的长度差小于10mm。李宝龙表示，无论是PCB上使用芯片还是采用DIMM条，DDR和DDRx(包括DDR2，DDR4等)相对与传统的同步SDRAM的读写，主要困难有三点：第一，时序。由于DDR采用双沿触发，和一般的时钟单沿触发的同步电路相比，在时序计算上有很大不同。DDR之所以能实现双边沿触发，其实是在芯片内部做了时钟的倍频，对外看起来，数据地址速率和时钟一样。为了保证能够被判决一组信号较小的相差skew，DDR对数据DQ信号使用分组同步触发DQS信号，所以 DDR上要求时序同步的是DQ和DQS之间，而不是一般数据和。

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