一个8K*8位的动态RAM芯片，其内部结构排列成256*256形式，存取周期为0.1us，试问集中刷新，分散刷新，异步 集中刷新都是2ms，分散刷新为0.1*2，异步刷新是2ms/256
多核之后，CPU 的发展方向是什么？
用16K×8位的DRAM芯片构成64K ×32位存储器 根据题意，存储总容量为64KB，故地址总线需16 位。现使用16K*8 位DRAM 芯片，共需16 片。芯片本身地址线占14 位，所以采用位并联与地址串联相结合的方法来组成整个存储器，其中使用一片2：4 译码器。(2)根据已知条件，CPU 在1us 内至少访存一次，而整个存储器的平均读/写周期为0.5us，如果采用集中刷新，有64us 的死时间，肯定不行 作业帮用户 2017-07-19 举报
如何看待龙芯对外公开的 LoongArch 指令集？ https：//riscv.org/membership/members/？ riscv.org 这些名单里中国企业和组织可不少。虽然说由于国际形式的原因，国家在扶持半导体行业，但是本质上各个企业之间还是竞争。
什么叫刷新，为什么要刷新，刷新有几种方法 刷新原因—2113—因电容泄漏而引起的DRAM所存信息的衰减需要5261及时补充，因4102此安排了定期刷新操作；常用的刷新方1653法有三种—集中式、分散式、异步式。集中式：在最大刷新间隔时间内，集中安排一段时间进行刷新；分散式：在每个读/写周期之后插入一个刷新周期，无CPU访存死时间；异步式：是集中式和分散式的折衷。
cpu的访存时间与什么有关 根据CPU访存性质不同，CPU的工作周期可分为取指周期、间址周期、执行周期和中断周期四类。他们访问的目的分别是取指令、取有效地址、取（或存）操作数及将程序断点保存起来。
一个8K*8位的动态RAM芯片，其内部结构排列成256*256形式，存取周期为0.1us，试问集中刷新，分散刷新，异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少？
