ZKX's LAB

影响材料强度的因素和提高强度的途径 阻碍位错的运动及晶界的迁移

2021-03-23知识118

何为亚结构强化 亚结构强化,指的是晶体中的亚结构(如小角度晶界、高密度位错等)对晶体的强化作用,机制是亚结构阻碍位错运动(类似于晶界对位错运动的阻碍作用)。。

晶界上的纳米粒子高温下能阻止位错消失吗

位错在金属晶体中运动可能会受到哪些阻力 晶格阻力、晶界阻力(晶界阻碍位错运动,即位错塞积机制)、位错之间相互缠结,形成扭折与割阶,另外还有第二相粒子对其阻碍作用,分为不可变形微粒的位错绕过机制以及可变形微粒的位错切割机制。

对于金属: 为什么晶界能比表面能大? 晶界能和表面能定义具体指什么?都属于金属键吗? 晶界能:形成单位面积界面系统时,系统的自由能变化时,他等于界面区单位面积的能量减去无界面时该区单位面积的能量。表面能:晶体表面单位面积自由能的增加称为表面能,也可以理解为单位面积新表面所作的功。晶界能的特点:1).晶界处点阵畸变大,存在着晶界能。因此,晶粒的长大和晶界的平直化都能减少晶界面积,从而降低晶界的总能量,这是一个自发过程。然而晶粒的长大和晶界的平直化均需通过原子的扩散来实现,因此,随着温度升高和保温时间的增长,均有利于这两过程的进行。2).晶界处原子排列不规则,因此在常温下晶界的存在会对位错的运动起阻碍作用,致使塑性变形抗力提高,宏观表现为晶界较晶内具有较高的强度和硬度。晶粒愈细,材料的强度愈高,这就是细晶强化;而高温下则相反,因高温下晶界存在一定的粘滞性,易使相邻晶粒产生相对滑动。3).晶界处原子偏离平衡位置,具有较高的动能,并且晶界处存在较多的缺陷如空穴、杂质原子和位错等,故晶界处原子的扩散速度比在晶内快得多。4).在固态相变过程中,由于晶界能量较高且原子活动能力较大,所以新相易于在晶界处优先形核。显然,原始晶粒愈细,晶界愈多,则新相形核率也相应愈高。5).由于成分偏析和内。

影响材料强度的因素和提高强度的途径 阻碍位错的运动及晶界的迁移

晶体中的晶体缺陷有哪些 晶体2113中的缺陷及其对材料性能的影5261响前言晶体的主要特征是其中原子(或分4102子)的规则1653排列,但实际晶体中的原子排列会由于各种原因或多或少地偏离严格的周期性,于是就形成了晶体的缺陷,晶体中缺陷的种类很多,它影响着晶体的力学、热学、电学、光学等各方面的性质。晶体的缺陷表征对晶体理想的周期结构的任何形式的偏离。晶体缺陷的存在,破坏了完美晶体的有序性,引起晶体内能U和熵S增加。按缺陷在空间的几何构型可将缺陷分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷,它们分别取决于缺陷的延伸范围是零维、一维、二维还是三维来近似描述。每一类缺陷都会对晶体的性能产生很大影响,例如点缺陷会影响晶体的电学、光学和机械性能,线缺陷会严重影响晶体的强度、电性能等。一、晶体缺陷的基本类型点缺陷1、点缺陷定义由于晶体中出现填隙原子和杂质原子等等,它们引起晶格周期性的破坏发生在一个或几个晶格常数的限度范围内,这类缺陷统称为点缺陷。这些空位和填隙原子是由热起伏原因所产生的,因此又称为热缺陷。2、空位、填隙原子和杂质空位:晶体内部的空格点就是空位。由于晶体中原子热运动,某些原子振动剧烈而脱离格点跑到表面上,在内部留下了空格。

#阻碍位错的运动及晶界的迁移

随机阅读

qrcode
访问手机版