请问半导体的发展历程是怎样的？和它的前景？ 更多精彩内容，请登录维库电子通（wiki.dzsc.com） 常见的半导体材料现状及趋势 1、硅材料 从提高硅集成电路成品率，降低成本看，增大直拉硅（CZ－Si）单晶的直径和减小微。
半导体超晶格有哪些基本性质？半导体超晶格有？由两种或两种以上组分不同，或导电类型不同的纳米级超薄层(层厚10-1～10nm)材料交替地外延生长在一起所形成的多周期结：-超。
mbe的影响
如何客观地评价黄昆以及他在固体理论中的成就？ 个人认为黄先生至少是和杨振宁同一高度的学家。但是关于他的资料非常之稀少，不知知友们中间是否有熟悉一…
砷化镓 是怎么合成的？ 砷化镓材料的制备 砷化镓材料的制备 与硅相仿，砷化镓材料也可分为体单晶和外延材料两类。体单晶可以用作外延的衬底材料，也可以采用离子注入掺杂工艺直接制造集成电路。
半导体材料的战略地位 20世纪中叶，单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功，导致了电子工业革命；20世纪70年代初石英光导纤维材料和GaAs激光器的发明，促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业，使人类进入了信息时代。超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功，彻底改变了光电器件的设计思想，使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能带工程”。纳米科学技术的发展和应用，将使人类能从原子、分子或纳米尺度水平上控制、操纵和制造功能强大的新型器件与电路，深刻地影响着世界的政治、经济格局和军事对抗的形式，彻底改变人们的生活方式。
MOS管是谁发明的！ MOS管这种结构的出现并不是为了现代的应用目的。在上世纪70年代之前，研究超晶格结构的表面性质时（晶格本身性质如晶格波，晶格传输性质如导电性，晶格的量子效应如量子陷阱，晶格的光学性质如跃迁吸收发光），构建了这个结构。当时最开始时是GaAs/AlGaAs 这种接触，后来发展起来了各种异质结。p-n结也是在这个时期出现的。你可以想像一下，刚出现的一个新学科，人们便一股脑全冲了进去，各种结构探索，各种性能比较，各种其他学科的交叉（第三次科技革命）。现在还在应用的，异质结，P-N结，MOS管只占当时构建出来的很小一部分，其他的因为功能重复等其他原因慢慢被人们抛弃，就剩下现在的几个了基本单元了。所以呢，这个结构不是一个人发明的，是一群人在一段时间内探索出来的，真真是智慧结晶。参考了黄昆的半导体物理。
在晶面为（001)的GaAs衬底上，重复地交替生长一个原子层的GaP和一个原子层的GaAs。忽略这两种材料晶格常数差异 由图给出的正方柱体是这种超晶格结构的一个重复排列区域。在顶角上的八个As原子周围情况相同。我们把在相对两个侧面上的两个Ga原子称为一组。容易看出，同一组内的两个Ga。
