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什么是超晶格材料? 超晶格概念

2021-03-22知识0

闵乃本的研究成果 1986年,闵乃本提出“介电体超晶格”材料的概念,并设想将准晶结构引入介电体超晶格中。经过近3年探索,闵乃本和学生朱永元教授等建立了“准周期超晶格”的理论,并预言“一块准周期的介电体超晶格有可能将一种颜色激光同时转换成三四种颜色的激光”。1992年起,课题组人员集体攻关,用两年多时间成功推出“室温图案极化制备介电体超晶格”新技术。1995年,课题组用这种新技术制备出周期超晶格。1996年制备出同时能出二种颜色激光的准周期介电体超晶格。2005年,课题组利用自行研制的介电体超晶格,研制成功全固态超晶格红、绿、蓝三基色和白光激光器,制出样机,取得了4项国内发明专利和1项美国发明专利。介电体超晶格的应用受到国际同行关注。据介绍,“介电体超晶格”材料如用于制造医用激光器,既可查病灶,又可用于治病,医用前景广阔。

半导体超晶格有哪些基本性质?半导体超晶格有?由两种或两种以上组分不同,或导电类型不同的纳米级超薄层(层厚10-1~10nm)材料交替地外延生长在一起所形成的多周期结:-超。

什么是超晶格材料? 超晶格概念

超晶格量子效应是? 1969年,著名的物理学家江崎与其合作者朱兆祥首次提出了半导体超晶格的新概念,并于1970年首次在砷化镓半导体上制成了超晶格结构,由此揭开了超晶格、量子阱、量子线和量子点微结构等一类低维材料研究的序幕.迄今为止,这一领域的研究已经取得了令世人瞩目的重大进展,在半导体科学技术发展史上写下了光辉灿烂的一页,留下了浓墨重彩的一笔.尤其值得一提的是,美籍华裔科学家崔琦和德国科学家霍斯特·施特默2人,因于1982年发现了具有高电子迁移率的GaAs/AlAs超晶格材料的调制掺杂异质结中的电子,会在超低温和强磁场条件下形成具有某种特异性的量子流体,并在1年之后,由美国科学家罗伯特·劳克林对这一重大发现作出了理论解释,而共同获得了1998年的诺贝尔物理学奖.此后不久,高电子迁移率晶体管(HEMT)就被设计并制作出来了.目前,这种器件已经发展到由多种异质结构材料和各种结构形式制备的具有各种逻辑功能的HEMT大规模集成电路,并初步用于现代通信和计算机系统.这一事实充分显示了半导体超晶格材料在半导体科学技术中所占据的显赫地位。

#超晶格概念

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