高级语言编程时如何进行单片机外部数据存储器扩展 外部数据存储器扩展，是硬件电路的任务，需要增加实物存储器才行。不是编程能解决的，只要扩展了外部数据存储器，编程序才能使用外部数据存储器来读/写数据。至于怎么写，要看是什么单片机。
存储器的扩展方式哪三种 存储器的扩展方式有字2113扩展、5261位扩展、字位同时扩展。存储器芯片与单4102片机扩展连接具有共同1653的规律。即不论何种存储器芯片，其引脚都呈三总线结构，与单片机连接都是三总线对接。另外，电源线接电源线，地线接地线。目前生产的存储器芯片容量有限，在字数或字长方面与实际存储器要求有所差距，所以要在字向与位向两方面进行扩充，才能满足实际存储器的要求。cpu对存储器进行读写操作时，首先由地址总线给出地址信号，然后再发出有关进行读操作与写操作的控制信号，最后在数据总线上进行信息交换。扩展资料：存储器的扩展技术：总片数=总容量/(容量/片)。例：存储器容量为8K×8b，若选用2114芯片(1K×4b)，则需要的芯片数为：(8K×8b)/(1K×4b)=16(片)。（1）位扩展。只在位数方向扩展(加大字长)，而芯片的字数和存储器的字数是一致的。即b前面不一样，K前面保持一样。例：用64K×1b的SRAM芯片组成64K×8b的存储器，所需芯片数为：(64K×8b)/(64K×1b)=8(片)。位扩展的关键就是将两个存储芯片当成一个存储芯片来用，让两个存储芯片同时工作，同时被选中，同时做读操作，同时做写操作，要想保证同时，就是把两个芯片的片选，用相同的信号进行连接。（2）。
MCS-51单片机扩展系统中，片外程序存储器和片外数据存储器共处同一个地址空间，为什么不会发生总线冲突？ 因为控制信号线来的不同：源外扩的RAM芯片既能读出又能2113写入，所以通常都有读写5261控制引脚，记为4102OE和WE。外扩RAM的读、写控1653制引脚分别与MCS-51的RD和WR引脚相连。外扩的EPROM在正常使用中只能读出，不能写入，故EPROM芯片没有写入控制引脚，只有读出引脚，记为OE，该引脚与MCS-51单片机的PSEN相连访问片外程序存储器和访问数据存储器使用不同的指令用来区分同一地址空间硬件上，控制信号不一样：片外程序存储器工作，要PSEN信号有效。片外数据存储器工作，要RD或WR信号有效；软件上，寻址不一样，片外程序存储器工作，要用MOVC，片外数据存储器工作，要用MOVX；虽然地址都是0000H~FFFFH，不会发生冲突的。扩展资料：访问存储空间时，需要用到两个指针变量，为DPTR和PC。其中pc为程序计数器，指向下一条需要执行的指令的地址，DPTR为数据指针寄存器，这两个变量的长度都为16位。这是51单片机内部结构决定的，无法改变。所以这两个指针的寻址能力都为64K。这样看来，两类存储器的扩展能力都为64K。
数字电子技术题 1.四位二进制就是16进制，答案：1 16x16=256=2^8=2^n，so，n=8，位线八位.容量至少是256x82、32x16/(8x8)=8片
求8051单片机扩展4K字节外部数据存储器的电路图
