富士通电子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出型号为 MB85RS4MTY 的 4Mbit FRAM，其容量达到 FRAM 产品最高水平，运作温度最高可达 125℃。目前可为客户提供评测版样品。
这款全新 FRAM 是非易失性内存产品，在 125℃高温环境下可以达到 10 兆次读 / 写次数，工作电流低，是工业机器人和高级驾驶辅助系统（ADAS）等汽车应用的最佳选择。
FRAM 的读 / 写耐久性、写入速度和功耗均优于 EEPROM 和闪存，并已量产 20 多年，近年来广泛用于可穿戴设备、工业机器人和无人机。
自去年发布以来，2Mbit FRAM MB85RS2MTY 已在汽车和工业设备中获得广泛应用，而 MB85RS4MTY 将其容量提高了一倍，达到 4M bit，满足更高容量的需求，配有 SPI 接口，工作电压为 1.8V 至 3.6V。由于这款 FRAM 工作电流低，即使在 125℃高温下，最大工作电流仅为 4mA（运作频率 50MHz），最大掉电模式电流为 30μA，因此有助于降低环境敏感应用的功耗。
这款全新 FRAM 在 -40℃至+ 125℃温度范围内可以达到 10 兆次读 / 写次数，适合某些需要实时数据记录的应用。例如，每 0.03 毫秒重写一次数据，同一地址连续记录数据可达 10 年之久。
这款 FRAM 产品采用业界标准 8-pin SOP 封装，可轻松取代现有类似引脚的 EEPROM。此外，还提供 8-pin DFN（无引线双侧扁平）封装。
富士通电子将继续提供内存产品和解决方案，满足市场和客户的未来需求。
关键规格组件型号：MB85RS4MT
容量（组态）：4 Mbit（512K x 8 位）
接口：SPI（Serial Peripheral Interface）
运作频率：最高 50 MHz
运作电压：1.8V - 3.6V
运作温度范围：-40°C - +125°C
读 / 写耐久性：10 兆次（1013 次）
封装规格：8-pin DFN，8-pin SOP
词汇与备注
铁电随机存取内存（FRAM）
FRAM 是一种采用铁电质薄膜作为电容器以储存数据的内存，即便在没有电源的情况下仍可保存数据。FRAM 结合了 ROM 和 RAM 的特性，并拥有高速写入数据、低功耗和高速读 / 写周期的优点。富士通自 1999 年即开始生产 FRAM，亦称为 FeRAM。
