氧化层的厚度是怎样影响等效电容的 氧化层相当于绝缘2113介质，一般C=K*Area/d。可表示介电5261常数，4102Area表示上下极板1653重叠面积，d表示上下极板距离。k由绝缘物质决定，d可以看作氧化层厚度，氧化层越厚，电容越小。氧化层越厚，上下极板耐压越大，所以要折中考虑容值和耐压，来决定使用什么的厚度。
为什么说栅氧化层的生长是非常重要的一道工序同栅氧化层厚度下极小值处干涉方法(—)和精确解(○)的比较篇名：用干涉方法研究超薄栅MOS系统中FN振荡电流说明：值.从图7(a)，
A6061铜含量高会造成阳极氧化层薄厚不均匀吗 一般来说，铝合金中的铜元素不会影响膜层的厚度，阳极氧化膜的厚度主要是有氧化工艺条件制约，一般情况是温度越低，电流越大，氧化时间越长，膜层越厚.但任何一个条件超过了极限值，不仅对膜层厚度没有提高，反而会降低膜层质量.如温度、电流过大，膜层容易粗糙，出现可擦拭的粉末，甚至出现尖端烧焦及融化的问题.
什么是衬底偏置效应 以及 衬偏电压 ？
为什么氧化层厚度越厚，热氧化生长的速率越慢？ 金属与空气接触的机会少了反应就慢了
理想的氧化层厚度是（） A.80～100μm B.35～50μm C.0.2～2μm
采用热氧化生长法制造的氧化层其生长厚度和时间关系服从什么生长规律？ 硅在空气中会氧来化形成天然的氧自化层的过程称为热氧2113化5261[1]。中文名热氧化硅IC成功的4102一个主要原因是，1653能在硅表面获得性能优良的天然二氧化硅层。该氧化层在MOSFET中被用做栅绝缘层，也可作为器件之间隔离的场氧化层。连接不同器件用的金属互联线可以放置在场氧化层顶部。大多数其他的半导体表面不能形成质量满足器件制造要求的氧化层。硅在空气中会氧化形成大约厚2.5nm的天然氧化层。但是，通常的氧化反应都在高温下进行，因为基本工艺需要氧气穿过已经形成的氧化层到达硅表面，然后发生反应。图1给出了氧化过程的示意图。氧气通过扩散过程穿过直接与氧化层表面相邻的凝滞气体层，然后穿过已有的氧化层到达硅表面，然后在这里与硅反应形成二氧化硅。由于该反应，表面的硅被消耗了一部分。被消耗的硅占最后形成氧化层厚度的44%[1]。
