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多异质结是一维超晶格 半导体超晶格有哪些基本性质?半导体超晶格有?

2021-03-20知识7

分子束外延法的概况 从硒整流器诞生以来,真空淀积已广泛应用于半导体薄膜器件的制备上。从40年代起,蒸发铅和锡的硫化物薄膜被广泛研究,直到1964年以前还没有实现优质的外延。1964年Schoolar和Zemel用泻流盒产生的分子束在NaCl上外延生长出PbS薄膜。这也许是现代MBE技术的前奏。直到70年代初期真空设备商品化以后,MBE才得到广泛应用。MBE基本上是真空淀积的一种复杂变种,其复杂程度取决于各个研究工作想要达到的目标。因为是真空淀积,MBE的生长主要由分子束和晶体表面的反应动力学所控制,它同液相外延(LPE)和化学汽相淀积(CVD)等其他技术不同,后两者是在接近于热力学平衡条件下进行的。而MBE是在超高真空环境中进行的,如果配备必需的仪器,就能用许多测试技术对外延生长作在位或原位质量评估。分子束外延的重要阶段性成果就是掺杂超晶格和应变层结构的出现。掺杂超晶格是一种周期性掺杂的半导体结构。通过周期性掺杂的方法来调制半导体的能带结构。掺杂超晶格的有效制备方法是掺杂技术,该技术就是定义在一个原子平面上进行掺杂。在衬底材料生长停止的条件下,生长一个单原子层的掺杂剂,这个单原子层的杂质通过高温工艺或分凝便形成一个掺杂区,因而界面非常陡峭,二维电子气的浓度。

半导体物理的作品目录 第1章 量子力学初步1.1 量子力学的诞生1.2 物质波1.3 力学量算符与薛定谔方程1.4 定态波函数1.5 波函数的性质1.6 归一化波函数1.7 波函数的统计解释—劳厄(Lauer)衍射公式1.8 求解定态问题的步骤1.9 定态问题实例1.10 测不准原理1.11 电子的自旋1.12 简谐微扰量子跃迁几率1.13 泡利不相容原理第2章 半导体材料的成分与结构2.1 半导体材料的导电能力2.2 半导体的晶体结构2.3 倒格矢2.4 晶体结构的测量2.5 常见半导体的晶体结构第3章 晶体中电子的能带3.1 能级分裂与能带的形成3.2 量子力学处理3.3 能带图的表示方法3.4 晶体中电子的运动3.5 电子的经典近似3.6 外力与波矢的关系3.7 电子的加速度及有效质量3.8 能带填充情况与电流3.9 金属、半导体、绝缘体3.10 空穴3.11 硅、锗和砷化镓的能带特点3.12 半导体材料中的杂质和缺陷能级3.13 化合物半导体中的杂质能级3.14 施主、受主的类氢模型3.15 各种因素对禁带宽度的影响第4章 半导体中的电子统计分布4.1 状态密度4.2 费米一狄拉克分布4.3 本征半导体与非本征半导体4.4 只含一种杂质的半导体4.5 饱和电离区的范围4.6 费米能级与掺杂浓度的关系4.7 简并半导体4.8 杂质补偿。

纳米材料四大效应 纳米材2113料有五大效应:体积效应;表5261面效应;量子尺寸;量子隧道;介4102电限域。纳米材料是指在三维1653空间中至少有一维处于纳米尺寸(0.1-100 nm)或由它们作为基本单元构成的材料,这大约相当于10~100个原子紧密排列在一起的尺度。纳米金属材料是20世纪80年代中期研制成功的,后来相继问世的有纳米半导体薄膜、纳米陶瓷、纳米瓷性材料和纳米生物医学材料等。扩展资料:纳米磁性材料:在实际中应用的纳米材料大多数都是人工制造的。纳米磁性材料具有十分特别的磁学性质,纳米粒子尺寸小,具有单磁畴结构和矫顽力很高的特性,用它制成的磁记录材料不仅音质、图像和信噪比好,而且记录密度比γ-Fe2O3高几十倍。超顺磁的强磁性纳米颗粒还可制成磁性液体,用于电声器件、阻尼器件、旋转密封及润滑和选矿等领域。参考资料来源:—纳米材料

超晶格量子效应是? 1969年,著名的物理学家江崎与其合作者朱兆祥首次提出了半导体超晶格的新概念,并于1970年首次在砷化镓半导体上制成了超晶格结构,由此揭开了超晶格、量子阱、量子线和量子点微结构等一类低维材料研究的序幕.迄今为止,这一领域的研究已经取得了令世人瞩目的重大进展,在半导体科学技术发展史上写下了光辉灿烂的一页,留下了浓墨重彩的一笔.尤其值得一提的是,美籍华裔科学家崔琦和德国科学家霍斯特·施特默2人,因于1982年发现了具有高电子迁移率的GaAs/AlAs超晶格材料的调制掺杂异质结中的电子,会在超低温和强磁场条件下形成具有某种特异性的量子流体,并在1年之后,由美国科学家罗伯特·劳克林对这一重大发现作出了理论解释,而共同获得了1998年的诺贝尔物理学奖.此后不久,高电子迁移率晶体管(HEMT)就被设计并制作出来了.目前,这种器件已经发展到由多种异质结构材料和各种结构形式制备的具有各种逻辑功能的HEMT大规模集成电路,并初步用于现代通信和计算机系统.这一事实充分显示了半导体超晶格材料在半导体科学技术中所占据的显赫地位。

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