二极管的伏安特性 二极管伏安特性

二极管的伏安特性 不知你问的是什么二极管？普通锗材料的二极管正常工作电流下，正向电压降在0.2~0.3V左右；硅材料整流二极管一般在0.5~0.8V间，肖特基二极管0.3~0.6V间。小电流下压降很小，会低于上述的低电压，工作电流越大，压降越高，大电流下压降可能会超出上述的电压值。二极管的伏安特性 二极管既然是一个PN结，当然具有单向导电性。Uon称为死区电压，通常硅管的死区电压约为0.5V，锗管约为0.1V。当外加正向电压低于死区电压时，外电场还不足以克服内电场对扩散运动的阻挡，正向电流几乎为零。当外加正向电压超过死区电压后，内电场被大大削弱，正向电流增长很快，二极管处于正向导通状态。导通时二极管的正向压降变化不大，硅管约为0.6～0.8V，锗管约为0.2～0.3V。温度上升，死区电压和正向压降均相应降低。UBR称为反向击穿电压，当外加反向电压低于UBR时，二极管处于反向截止区，反向电流几乎为零，但温度上升，反向电流会有增长。当外加反向电压超过UBR后，反向电流突然增大，二极管失去单向导电性，这种现象称为击穿。普通二极管被击穿后，由于反向电流很大，一般会造成“热击穿”，不能恢复原来性能，也就是失效了。二极管的应用范围很广，主要都是利用它的单向导电性，可用于整流、检波、限幅、元件保护以及在数字电路中用作开关元件等。什么是二极管的伏安特性？正向通电流，电阻小，反向电阻很大，阻碍电流的流通 半导体二极管最重要的特性是单向导电性。即当外加正向电压时，它呈现的电阻（正向电阻）比较。二极管伏安特性物理意义是什么？ 半导体二极管最重要的特性是单向导电性。即当外加正向电压时，它呈现的电阻（正向电阻）比较小，通过的电流比较大，当外加反向电压时，它呈现的电阻（反向电阻）很大，通过的电流很小（通常可以忽略不计）。反映二极管的电流随电压变化的关系曲线，叫做二极管的伏安特性，如图10－2所示。图10－2中右上方为正向伏安特性，左下方为反向伏安特性。当外加正向电压时，随着电压U的逐渐增加，电流I也增加。但在开始的一段，由于外加电压很低。外电场不能克服PN结的内电场，半导体中的多数载流子不能顺利通过阻挡层，所以这时的正向电流极小（见曲线的OA段，该段所对应的电压称为死区电压，硅管的死区电压约为0～0．5伏，锗管的死区电压约为0～0．2伏）。当外加电压超过死区电压以后，外电场强于PN结的内电场，多数载流子大量通过阻挡层，使正向电流随电压很快增长（曲线中的AB段）。当外加反向电压时，所加的反向电压加强了内电场对多数载流子的阻挡，所以二极管中几乎没有电流通过。但是这时的外电场能促使少数载流子漂移，所以少数载流子形成很小的反向电流（曲线中的OC段）。由于少数载流子数量有限，只要加不大的反向电压就可以使全部少数载流子越过PN结而形成反向。电阻器与二极管的伏安特性有何区别？ ◆电阻器指的是一个纯电阻，或者可变电阻，它的伏安特性，或即伏安曲线，是一根线性曲线，即直线，表现了流过电阻R的电流I与电阻两端所加的电压V成正比的数学关copy系。而二极管的伏安特性是一个非线性伏安曲线，加在它两端的电压较小时，它的电流增长比较缓慢，而当该电压增大时，电流则越来越快地增长，甚至很快知将二极管烧穿。同时当施加了反向电压时，电流却几乎不虽电压的增长而增长，到某一电压值时，电流突然剧增，这一电压就叫做二极管的击穿电压。利用二极管伏安特性的非线性，可以控制二极管的电流，也等效于控制了它的等效电阻，在电子线路中不广泛的应用，道最典型的就是用其单向导电性将交流电变成直流电。什么是二极管的伏安特性？包括那些？ 见附图：加在二极管两端的电压与电流的关系叫二极管的伏安特性：二极管伏安特性的物理意义是什么？简洁一点。 正向特性：可导通，但电压需超过死区电压（门槛电压）反向特性：不导通，但如果电压超出一定值会反向击穿加在二极管两端的电压和流过二极管的电流之间的关系曲线如图所示，称为二极管的伏安特性曲线。当二极管两端加正向电压较小时，正向电流几乎为零。在常温下，锗管约为0．1V。

#击穿电压#伏安特性曲线#电阻#pn结#正向压降