弗兰克-里德错位源 弗兰克2113-里德位错源（Frank-Read source）机制是三种位错增5261殖机制之一。另外两4102种机制是：双交滑移增殖机制和攀1653移增殖机制。弗兰克-里德位错源是若某滑移面有一段刃型位错AB，两端被位错网节点钉住不能运动。在沿其垂直线方向外加剪切应力使位错沿滑移面运动，由于两端固定，所以只能使位错线弯曲。在应力作用下它经历由图中红线到黑线、蓝线、绿线再到黄线的过程，而产生出一个位错环，自身又回到黑线状态，如此循环不已，每周产生出一个新的位错环，从而实现位错增殖。使弗兰克-里德位错源启动的临界应力依赖于AB的长度(即钉扎点之间的距离)及此位错的线张力。
在一块晶体中有一根刃型位错线P与同长度的螺型位错线Q，两者相比，谁的能量较高 个好机会
无外力作用下，为什么位错线总有变直线的倾向 位错的总能量与位错线的长度成正比，为了降低能量，有缩短变直的倾向。
若面心立方系晶体（铜)中开动的滑移系为（111)[101]， ①若滑移是由刃位错运动引起的，给出位错线的方向； ②若 设位错线方向为[uvw]。nbsp；nbsp；①因刃位错线与其柏氏矢量垂直，同时也与滑移面法线垂直，即 ；nbsp；[uvw]=[111]×[101]=[121] ；nbsp；②因螺位错与其柏氏矢量平行。
为什么物体的长度越短越硬？比如头发？
给出位错运动的点阵主力与晶体结构的关系式，说明为什么晶体滑移通常发生在原子最密排的晶面和晶向. 您想问位错运动的点阵阻力与晶体结构的表达式？派纳力公式如下：a代表滑移面间距，b为位错柏氏矢量长度，μ为泊松比.派纳力决定于晶体滑移面和滑移方向，对于同种晶体，滑移面间距a增大则派纳力减小，a减小则派纳力增大，所以晶体的滑移面应该是滑移面间距a最大的面（此时阻力最小），即为最密排面；原子最密排方向上两个平衡原子间距离最小，滑移所需的能量最低，所以晶体滑移通常发生在原子最密排的晶面和晶向.—老师刚留了类似的问题，顺手回答一下，希望能够帮到您.
位错的形成、运动和增殖有哪些？ 位错的形成 晶体内部位错的发育主要有两种重要的来源，即原生位错和应力感生位错。原生位错是晶体内部固有的，或者说是在晶体结晶时已经形成的位错。晶体内原生位错的大小与密度取决于晶体生长的速度和晶体生长时介质的性质。应力感生位错是晶体遭受应力作用时由于晶格结构的调整而形成的位错。变形晶体所受差应力值大小对于应力感生位错的密度有着重要影响。在一定的变形温度和压力条件下，差应力越大时，产生的应力感生位错密度越大，而较高的温度经常使得应力感生位错重新组织和消失而导致位错密度降低。位错的运动 位错是晶体内部的缺陷，也是晶体内部的不平衡部位。Meike（1990）研究证明孤立的自由位错具有最大的自由能。在外部应力的持续作用下，或者随着温度的升高，晶体内部位错随着自由能增加而发生运动，并组织起来形成各种不同的位错亚构造。位错运动是位错增殖和形成各种位错亚构造并导致晶体变形的主要途径，其运动与组织的总体趋势是使得晶体内能降低。位错的运动有两种主要方式，即位错滑移与位错攀移。位错滑移（dislocation glide）在剪应力作用下，原子发生位错是在包含其伯格斯矢量的平面上运动，位错在晶体内沿滑移面不运动称为位错滑移。由。
纳米材料有什么优点知识 纳米材料的优点：除味、杀菌、韧性强、延长老化时间等。缺点：一、点缺陷，如空位，溶质原子和杂质原子等，这是一种零维缺陷。。
纳米岩石一体盆的优缺点？ 一、点缺陷，如空位，溶质原子和杂质原子等，是一种零维缺陷。二、线缺陷，位错，一种一维缺陷，位错的线长度及位错运动的平均自由程均小于晶粒的尺寸。。
