ZKX's LAB

MOSFET关断的电流突波问题 mosfet 负电流

2021-03-19知识4

mosfet和bjt有什么区别我只知道bjt能放大电流β+1,mosfet到底能放大几倍啊

为什么mosfet镜像电流源可以用N沟道增强型mosfet代替电阻

可控硅、MOSFET、IGBT、GTO是电压触发还是电流触发,它们在作用上有什么区别与联系 可控硅、GTO是电流触发,其中可控硅触发导通后要等到电流过0时才关断;GTO称之为可关断可控硅,可以在有电流时关断。MOSFET和IGBT是电压控制器件,类似于场效应管,可通过栅极电压控制其导通和关断,开关速度高于GTO,由于MOSFET的耐压水平不能再继续提高,后推出场效应管与双极型管结合的器件IGBT。它们共同的作用就是可以用较小的电流(或电压)去控制较大的电流,同时都具有单向导电性,均可作为整流和逆变元件使用,。但相比之下,可控硅的应用范围相对狭窄,但因为这些器件中,可控硅是最廉价的,工艺成熟,可做成高压、大电流,所以在整流、大功率的同步逆变、调功等装置中还是有较大优势。IGBT与GTO、MOSFET器件相比在开关速度、耐压、驱动功率上有更优异的特性,所以被广泛应用在变频器、有源滤波和补偿、逆变等领域。扩展资料可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件,共有三个PN结,分析原理时,可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成,其等效图解如右图所示。双向可控硅:双向可控硅是一种硅可控整流器件,也称作双向晶闸管。这种器件在电路中能够实现交流电的无触点控制,以小电流控制大电流,具有无火花、动作快、寿命长、可靠性高以及简化电路结构等。

MOSFET关断的电流突波问题 mosfet 负电流

可控硅、MOSFET、IGBT、GTO是电压触发还是电流触发,它们在作用上有什么区别与联系 可控硅、GTO是电流触发,其中可控硅触发导通后要等到电流过0时才关断;GTO称之为可关断可控硅,可以在有电流时关断。

#mosfet 负电流

随机阅读

qrcode
访问手机版