如何计算mosfet寿命 我有mosfet的datasheet，不知道如何计算它的寿命。有谁知道，请不吝赐教。通过对不同氧化层厚度的 N-MOSFET在各种条件下加速寿命实验的研究，发现栅电压。
如何学习模拟电路和电路分析？
请问N-Mosfet的Vds怎么不同呢，请高手分析指教！ 用MOSFET驱动电机，发现，做H桥不能工作，试验了基本电路，发现，吧MOSFET放在上臂哈下臂，VDS压降显著不同，一个是0.02V，一个则是4.5V.请高手帮毛指教！
做SCR ，GTO，MOSFET，GTR，IGBT实验时注意事项有哪些？ 做实验，不炸几个不长记性1）注意防静电，尤其是MOS2）GTO，IGBT，GTR这些高压大电流的，注意别弄死自己 3）有条件可以加些保护监控电路，壳温监测、过流监测等，情况不好。
SCR.GTO.GTR功率MOSFET。IGBT的各自优缺点 上述提到的器件都属2113于功率开关器件。若按参与5261导电的载流子是一4102种还是两种，1653可分为单极器件和双极器件。其中属于双极器件的有：SCR、GTO、GTR以及IGBT；单极器件的是功率MOSFET。SCR是可控硅整流器，也叫晶闸管，主要用在类似于二极管的领域，其与二极管不同的是，正向工作时，可通过门极电流来触发导通。而不像是二极管过了导通电压就能直接导通，但其关断不能通过门极关断，而是将电流减小至某个值以下，或是直接的换向关断。GTO是Gate Turn-off Thyristor，为门极可关断晶闸管，即可以通过控制门极关断晶闸管。GTR应该是Giant Transistor，为巨型晶体管，导通工作时要求发射结集电结均正偏，与普通BJT工作类似。以上的器件主要用于大电流，高压，低频场合。而功率MOSFET由于是单极型器件，电流处理能力相对较弱，但由于其在开关过程中，没有载流子存储的建立与抽取，其频率特性好，用于高频低压领域。而IGBT，为Insulated Gate Bipolar Transistor，是绝缘栅双极场效应管，为电压控制电流，栅控器件，其工作频率比普通的双极器件高，电流处理能力比MOSFET要强，一般用于中高频中高压领域。扩展资料：GTO既保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点，。
原发布者：na239152605MOSFET的驱动技术详解simtriex/simplis仿真电路用软件MOSFET作为功率开关管，已经是是开关电源领域的绝对主力器件。虽然MOSFET作为电压型驱动器件，其驱动表面上看来是非常简单，但是详细分析起来并不简单。下面我会花一点时间，一点点来解析MOSFET的驱动技术，以及在不同的应用，应该采用什么样的驱动电路。首先，来做一个实验，把一个MOSFET的G悬空，然后在DS上加电压，那么会出现什么情况呢？很多工程师都知道，MOS会导通甚至击穿。这是为什么呢？我根本没有加驱动电压，MOS怎么会导通？用下面的图1，来做个仿真；去探测G极的电压，发现电压波形如图2所示。图1图2这种情况有什么危害呢？实际情况下，MOS肯定有驱动电路的么，要么导通，要么关掉。问题就出在开机，或者关机的时候，最主要是开机的时候，此时你的驱动电路还没上电。但是输入上电了，由于驱动电路没有工作，G级的电荷无法被释放，就容易导致MOS导通击穿。那么怎么解决呢？在GS之间并一个电阻。其仿真的结果如图4。几乎为0V。图3图4什么叫驱动能力，很多PWM芯片，或者专门的驱动芯片都会说驱动能力，比如384X的驱动能力为1A，其含义是什么呢？假如驱动是个理想脉冲源，那么其驱动能力就是。
