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超晶格结构单晶 砷化镓 是怎么合成的?

2021-03-19知识9

无定形硅为什么能变成单晶硅棒 在地壳中,硅的含量仅次于氧,居第二位,占地壳总重量的26.5%。它主要以二氧化硅的形式存在,岩石和沙土中都含有大量二氧化硅。元素硅的原子结构和化学性质与元素碳相似,。

单晶硅与多晶硅的区别 单晶硅硅有晶态和无定形两种同素异形体。晶态硅又分为单晶硅和多晶硅,它们均具有金刚石晶格,晶体硬而脆,具有金属光泽,能导电,但导电率不及金属。

单晶硅是什么 单晶硅是硅2113的单晶体。具有基本完整的5261点阵结构的晶体。不同的方向4102具有不同的性质,是一种良1653好的半导材料。纯度要求达到99.9999%,甚至达到99.9999999%以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。扩展资料:主要用途单晶硅主要用于制作半导体元件。用途:是制造半导体硅器件的原料,用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核,如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒,则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。单晶硅的制法通常是先制的多晶硅或无定形硅,然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。单晶硅棒是生产单晶硅片的原材料,随着国内和国际市场对单晶硅片需求量的快速增加,单晶硅棒的市场需求也呈快速增长的趋势。单晶硅圆片按其直径分为6英寸、8英寸、12英寸(300毫米)及18英寸(450毫米)等。直径越大的圆片,所能刻制的集成电路越多,芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。单晶硅按晶体伸长方法的不同,分为直拉法(CZ)、区熔法(FZ)和外延法。直拉法、区熔法伸长单晶硅棒材,外延法伸长单晶硅。

无定形硅与晶体硅的区别,主要说说组成结构方面的 晶体硅通常呈正四面体排列,每一个硅原子位于正四面体的顶点,并与另外四个硅原子以共价键紧密结合。这种结构可以延展得非常庞大,从而形成稳定的晶格结构。

晶格和晶胞有何区别? 把晶体中的每个结构单元(原子、分子、原子团或离子)抽象为一个点,间距相等的点排成一来行直线点阵,直线点阵平行排列而形成一个平面点阵,许多平面点阵平行排列就成了三维空间点阵。在点阵中以三维空间3个周期a、b和c为边长而形成的平行六面体格子被称为晶格。(所以,晶格是一种几何源概念,是从晶体结构中抽象出来的简化的描述)如果将组成晶体的结构单元置于晶格的节点上,可以得到晶体中与晶格相对应的百实际结构—晶胞。这是二者的基本定义。可见,晶胞是一个大小和形状与晶格相同的平行六面体,既包括晶格的形式与大小,度也包括对应于晶格结点的结构单元内容。

分子束外延法的定义 分子束外延是一种新的晶体生长技术,简记为MBE。其方法是将半导体衬底放置在超高真空腔体中,和将需要生长的单晶物质按元素的不同分别放在喷射炉中(也在腔体内)。由分别加热到相应温度的各元素喷射出的分子流能在上述衬底上生长出极薄的(可薄至单原子层水平)单晶体和几种物质交替的超晶格结构。分子束外延主要研究的是不同结构或不同材料的晶体和超晶格的生长。该法生长温度低,能严格控制外延层的层厚组分和掺杂浓度,但系统复杂,生长速度慢,生长面积也受到一定限制。分子束外延是50年代用真空蒸发技术制备半导体薄膜材料发展而来的。随着超高真空技术的发展而日趋完善,由于分子束外延技术的发展开拓了一系列崭新的超晶格器件,扩展了半导体科学的新领域,进一步说明了半导体材料的发展对半导体物理和半导体器件的影响。分子束外延的优点就是能够制备超薄层的半导体材料;外延材料表面形貌好,而且面积较大均匀性较好;可以制成不同掺杂剂或不同成份的多层结构;外延生长的温度较低,有利于提高外延层的纯度和完整性;利用各种元素的粘附系数的差别,可制成化学配比较好的化合物半导体薄膜。

砷化镓 是怎么合成的? 砷化镓材料的制备 砷化镓材料的制备 与硅相仿,砷化镓材料也可分为体单晶和外延材料两类。体单晶可以用作外延的衬底材料,也可以采用离子注入掺杂工艺直接制造集成电路。

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超晶格结构单晶 砷化镓 是怎么合成的?

请教“硅晶圆、单晶硅、多晶硅” 之间的区别与联系?指出关键点即可 多晶硅是还原剂与硅石在高温条件下的产物,也叫工业硅、金属硅。单晶硅是多晶硅经提纯获得,主要用在太阳能蕊片上。硅晶圆就不太清楚了。

什么是半导体材料? 半导体材料(semiconductor material)导电能力介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。半导体材料是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电的电子材料,其电阻。

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