几何必须位错的概念是什么，及其对塑性的影响 1、定义位错又可称为差排（英文：dislocation），在材料科学中，指晶体材料的一种内部微观缺陷，即原子的局部不规则排列（晶体学缺陷）。从几何角度看，位错属于一种线缺陷。
材料科学基础位错反应 材料科学基础位错反应如何判断新生成的位错是由哪两个面的求大神解答这个困扰我很久啦谢谢交线.材料科学基础位错反应如何判断新生成的位错是由哪两个。
请问一个位错能否在一个特定的滑移面上滑移怎么判断呢，我知道必须是密排方向和密排面，我是不知道怎么对两者的矢量关系判断， 纯金属单体的屈服强度由位错运动时所受到的阻力决定的，这些阻力有晶格阻力、位错间交互作用产生的阻力等.晶格阻力即派纳力.派纳力与位错宽度和柏氏矢量有关，两者又与晶体结构有关.位错间交互产生的阻力，包括平行位错间交互作用产生的阻力和运动位错与林位错交互作用产生的阻力.用公式表示：τ=αGb/L，式中 α—比例系数.因为位错密度ρ与1/L2成正比，故上式又可写为：τ=αGbρ
为什么体心立方，某些密排六方金属有低温脆性，而面心立方没有？
塑性变形方式有几种 在常温或低温下，塑性636f70797a6431333339663931变形的基本方式有两种：滑移和孪生。1、滑移滑移是晶体在切应力的作用下，晶体的一部分沿一定的晶面(滑移面)上的一定方向(滑移方向)相对于另一部分发生滑动。滑移特点：①滑移只能在切应力作用下才会发生，不同金属产生滑移的最小切应力(称滑移临界切应力)大小不同。钨、钼、铁的滑移临界切应力比铜、铝的要大。②滑移是晶体内部位错在切应力作用下运动的结果。滑移并非是晶体两部分沿滑移面作整体的相对滑动，而是通过位错的运动来实现的。在切应力作用下，一个多余半原子面从晶体一侧到另一侧运动，即位错自左向右移动时，晶体产生滑移。③由于位错每移出晶体一次即造成一个原子间距的变形量，因此晶体发生的总变形量一定是这个方向上的原子间距的整数倍。④滑移总是沿着晶体中原子密度最大的晶面(密排面)和其上密度最大的晶向(密排方向)进行，这是由于密排面之间、密排方向之间的间距最大，结合力最弱。因此滑移面为该晶体的密排面，滑移方向为该面上的密排方向。一个滑移面与其上的一个滑移方向组成一个滑移系。如体心立方晶格中，(110)和[111]即组成一个滑移系。滑移系越多，金属发生滑移的可能性越大，塑性就越好。。
左右螺型位错如何判别啊？ 根据螺旋面bai旋转方向，符合右手du法zhi则（即以右手拇指代表螺旋面dao前进方向回，其他四指答代表螺旋面的旋转方向）的称为右螺旋位错，符合左手法则是左螺旋位错。沿位错线原子面呈螺旋形，每绕轴一周，原子面上升一个原子间距，这种位错称为螺旋位错；螺旋型位错的存在可以提高晶体的生长速度，因为它不存在生长完一层后才能生长新的一层的困难，这就是晶体生长中螺型位错的“触媒”作用，它能大大地加快晶体的生长速度。扩展资料：螺型位错的特征如下：1、螺型位错无多余半原子面，原子错排是呈轴对称的。根据位错线附近呈螺旋形排列的原子旋转方向不同，螺型位错可分为右旋和左旋螺型位错。2、螺型位错线与滑移矢量平行，因此一定是直线。3、纯螺型位错的滑移面不是唯一的。凡是包含螺型位错线的平面都可以作为它的滑移面。但实际上，滑移通常是在那些原子密排面上进行的。4、螺型位错线周围的点阵也发生了弹性畸变，但只有平行于位错线的切应变而无正应变，即不会引起体积膨胀和收缩，且在垂直于位错线的平面投影上，看不到原子的位移，看不到有缺陷。5、螺型位错周围的点阵畸变随离位错线距离的增加而急剧减少，故它也是包含几个原子宽度的线缺陷。参考。
什么是位错？位错使金属内部产生什么力 位错又可称为差排（英语：dislocation），在材料科学中，指晶体材料的一种内部微观缺陷，即原子的局部不规则排列（晶体学缺陷）。从几何角度看，位错属于一种线缺陷，可视。
材料科学基础位错题目 既然位错反应条件你知道，想必你能轻松证得位错反应是能进行的。关于新位错能否在滑移面上运动，主要是确定最终所得的位错和滑移面能否形成滑移系。滑移系是由最密排面和最。
塑型变形是靠位错运动实现的。塑型变形的滑移面是密排面(很多个)，但是刃型位错的滑移面是单一的？ 这两者有啥关系吗？还是说只有密排面是滑移面的刃型位错才会滑移。
