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三氯氢硅冷却温度 三氯氢硅饱和蒸汽压计算公式

2021-03-18知识5

西门子法经过了哪些改良? 时代在发展,技术在进步,西门子法也不例外,从它出现到现在的几十年里,也得到不断改良,到目前为止,已成为一个比较成熟的多晶硅生产工艺。其实,它的改良不是进行了一次。

多晶硅还原炉有什么危险吗 还原炉里面是用纯的氢气以及三氯氢硅,在1100°条件左右进行反应,生成的硅沉积在硅棒表面,慢慢的生长,一般都要72小时以上时间不间断的供料供电。炉壁式夹层,用循环水。

三氯氢硅冷却温度 三氯氢硅饱和蒸汽压计算公式

多晶硅生产会用到导热油吗?一般的使用温度是多少?仅是用高纯的三氯氢硅生产多晶硅的话,无需用到导热油,用普通循环水、纯水冷却即可。但是在生产多晶硅的原料-三氯氢硅的。

请问高人还原炉雾化后炉筒水为什么会降温啊???.请阿里巴巴生意经的高手、专家们帮忙看下 还原炉雾化后三氯氢硅需要吸收大量热量变成饱和蒸汽,导致热量不平衡,还原炉硅棒表面温度、还原炉膛温度急剧下降,轻则冷却水温下降,重则立即裂棒

多晶硅得危害大吗?

多晶硅生产中cdl-2氢压缩机跳停怎么处理 在电解槽内经电解脱盐水制得氢气。电解制得的氢气经过冷却、分离液体后,进入除氧器,在催化剂的作用下,氢气中的微量氧气与氢气反应生成水而被除去。除氧后的氢气通过一组吸附干燥器而被干燥。净化干燥后的氢气送入氢气贮罐,然后送往氯化氢合成、三氯氢硅氢还原、四氯化硅氢化工序。电解制得的氧气经冷却、分离液体后,送入氧气贮罐。出氧气贮罐的氧气送去装瓶。气液分离器排放废吸附剂、氢气脱氧器有废脱氧催化剂排放、干燥器有废吸附剂排放,均供货商回收再利用。2、氯化氢合成工序 从氢气制备与净化工序来的氢气和从合成气干法分离工序返回的循环氢气分别进入本工序氢气缓冲罐并在罐内混合。出氢气缓冲罐的氢气引入氯化氢合成炉底部的燃烧枪。从液氯汽化工序来的氯气经氯气缓冲罐,也引入氯化氢合成炉的底部的燃烧枪。氢气与氯气的混合气体在燃烧枪出口被点燃,经燃烧反应生成氯化氢气体。出合成炉的氯化氢气体流经空气冷却器、水冷却器、深冷却器、雾沫分离器后,被送往三氯氢硅合成工序。为保证安全,本工序设置一套主要由废气处理塔、碱液循环槽、碱液循环泵和碱液循环冷却器组成的含氯废气处理系统。必要时,氯气缓冲罐及管道内的氯气可以送入废气处理塔内。

单晶硅,多晶硅生产流程。 其实现在多晶硅生产方法有好几种的,给你附一张最主流的改良西门法生产多晶硅的流程(推荐一个论坛:海川化工论坛 http://bbs.hcbbs.com):1、氢气制备与净化工序在电解槽。

三氯氢硅的危险分析 三氯氢硅生产的火灾危险性分析⒈电解食盐水的火灾危险性⑴电解时有强大的电流通过,如果电气的绝缘不良极易产生电火花,电解车间经常有氢气泄漏,遇到电火花或其它明火会发生燃烧或爆炸。⑵如氢气与氯气相混,达到爆炸极限范围,遇光也会发生爆炸。⒉三氯氢硅合成的火灾危险性SiHCl3的合成是在280℃~300℃的温度下进行的,已经超过了SiHCl3的自燃温度175℃,在合成过程中如果SiHCl3发生泄漏,或者空气进入反应器,极易引起燃烧、爆炸或中毒事故。并且SiHCl3有毒、遇水燃烧,给火灾扑救带来一定的困难。⒊三氯氢硅贮罐的火灾危险性SiHCl3的贮罐如果发生泄漏,其危险性远远大于工艺管道泄漏的危险性,因为其贮量大,一旦发生泄漏,如果不及时堵漏,影响会不断扩大。贮罐区因为冷却用水的需要,经常有水存在,泄漏的SiHCl3遇水发生反应,产生有毒的HCl,向四周扩散,给抢险救援工作带来困难。

#三氯氢硅冷却温度

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