原子层沉积是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。原子层沉积与普通的化学沉积有相似之处。但在原子层沉积过程中，新一层原子膜的化学反应是直接与。
热力学理论上真空蒸镀技术方法得不到铝薄膜只能得到氧化铝，为什么实际上可以得到？ 热力学理论上真空蒸镀技术方法得不到铝薄膜只能得到氧化铝，这句话没有依据.高真空环境中铝热蒸发成铝原子蒸汽，冷却后铝原子沉积在基体材料表面成铝膜.这一过程完全符合热力学原理.实际上既然可以得到，理论上就更应该得到，除非理论是错的.而热力学理论至今未发现一个反例.如有不明欢迎追问.
原子层沉积的分析 从原理上说，ALD是通过化学反应得到生成物，但在沉积反应原理、沉积反应条件的要求和沉积层的质量上都与传统的CVD不同，在传统CVD工艺过程中，化学蒸汽不断通入真空室内，因此该沉积过程是连续的，沉积薄膜的厚度和温度、压力、气体流量以及流动的均匀性、时间等多种因素有关；在ALD工艺过程中，则是将不同的反应前驱物以气体脉冲的形式交替送入反应室中，因此并非一个连续的工艺过程。相对于传统的沉积工艺而言，ALD在膜层的均匀性、阶梯覆盖率以及厚度控制等方面都具有明显的优势。在某些应用中，需要在具有很大长径比的内腔表面镀膜，极限的情况下长径比会达到15甚至20，采用传统的镀膜方法是无法实现的，而原子层沉积技术由于是通过在基底表面形成吸附层，进一步通过反应生成薄膜，因而在这方面具有独特的优势，可以在大长径比的内腔表面形成厚度均匀的薄膜。工作原理图近年来，对于X射线谱段光学薄膜的需求和研究也日益增加。由于材料的光学常数和性能在X射线区随波长的变化非常显著，同时，在X射线多层膜制备过程中，对基底表面粗糙度要求很高，膜层也很薄，难于控制，这些问题目前在光学薄膜的研究中，仍然是研究的难点。由于ALD技术是通过反应前驱物在表面。
原子层沉积的原理 原子层沉积2113是通过将气相前驱体脉冲交替地通5261入反应器并在4102沉积基体上化学吸附1653并反应而形成沉积膜的一种方法（技术）。当前驱体达到沉积基体表面，它们会在其表面化学吸附并发生表面反应。在前驱体脉冲之间需要用惰性气体对原子层沉积反应器进行清洗。由此可知沉积反应前驱体物质能否在被沉积材料表面化学吸附是实现原子层沉积的关键。气相物质在基体材料的表面吸附特征可以看出，任何气相物质在材料表面都可以进行物理吸附，但是要实现在材料表面的化学吸附必须具有一定的活化能，因此能否实现原子层沉积，选择合适的反应前驱体物质是很重要的。原子层沉积的表面反应具有自限制性（self-limiting），实际上这种自限制性特征正是原子层沉积技术的基础。不断重复这种自限制反应就形成所需要的薄膜。原子层沉积的自限制特征：根据沉积前驱体和基体材料的不同，原子层沉积有两种不同的自限制机制，即化学吸附自限制（CS）和顺次反应自限制（RS）过程。化学吸附自限制沉积过程中，第一种反应前驱体输入到基体材料表面并通过化学吸附（饱和吸附）保持在表面。当第二种前驱体通入反应器，起就会与已吸附于基体材料表面的第一前驱体发生反应。两个前驱体之间会。
原子层沉积和化学气相沉积有什么不同 原子层沉积属于抄化学吸袭附，化学气相沉积是bai物理吸附。原子层沉du积，是通过将 气相 前驱体zhi脉冲交替dao地通入 反应器并在沉积基体上 化学吸附并反应而形成沉积膜的一种方法。当前驱体达到沉积基体表面，它们会在其表面化学吸附并发生表面反应。在 前驱体脉冲之间需要用惰性气体对原子层沉积 反应器进行清洗。由此可知沉积反应 前驱体物质能否在被沉积材料表面化学吸附是实现原子层沉积的关键。化学气相沉积，是一种制备材料的气相生长方法，它是把一种或几种含有构成薄膜元素的化合物、单质气体通入放置有基材的反应室，借助空间气相化学反应在基体表面上沉积固态薄膜的工艺技术。
什么是原子层沉积 原子层沉积原子层沉积(atomic layer deposition)是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。原子层沉积与普通的化学沉积有相似之处。。
原子层沉积每次循环的反应物量有多少 是一种可以将物质以单原子2113膜形式5261一层一层的镀在基底表面的方法。原子层4102沉积与普通的化学沉积有相似1653之处。但在原子层沉积过程中，新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的，这种方式使每次反应只沉积一层原子。
化学翻译大师帮我下，我做毕业设计急着交 粘贴过来太乱了，很多缩写变形了，出现很多“s”“d”等无用字符，不过认真纠正过来了。砷化镓原子层沉积法产生氧化铪和氧化铝闸极介电层III–V半导体上使用的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）和硅基器件相比有很多优势。高的载流迁移率会导致互补性金属氧化物半导体（CMOS）逻辑运算更快，更高击穿场强支持其在大功率/高温方面的应用，能带结构工程提供了设计灵活性，单片光电集成电路使可生产性提高。然而，高载流迁移率的基体复合半导体及锗半导体上的金属氧化物半导体场效应却因缺乏高质量的栅极绝缘层而不能利用，很大程度上是由于稳定钝化的俱生氧化层的缺失，以及高密度界面缺陷（Dit）随着沉积了氧化物（1）。例如，砷化镓氧化的费米能级钉扎效应归于氧诱导的表面砷原子的位移，而双层氧原子结合的双层镓原子产生了间隙状态（2）。过量的表面砷原子占据了砷化镓对位的缺陷也能造成间隙状态（2，3）。这类砷可通过砷化镓邻近的硫化砷的分解反应来形成，反应如下：As2O3（氧化砷）+2GaAs（砷化镓）=Ga2O3（氧化镓）+4As（砷）（4）。最近界面缺陷密度较低的氧化物/III–V型界面用氧化镓的分子束外延（MBE）来补偿（3），而加入镓来减少泄露（1，5）或降低氧化铝。
原子层沉积的应用 原子层沉积技术由于其沉积参数的高度可控型（厚度、成份和结构）原子层沉积（Atomic Layer Deposition，ALD），最初称为原子层外延（Atomic Layer Epitaxy，ALE），也称为原子层化学气相沉积（Atomic Layer Chemical Vapor Deposition，ALCVD）。原子层沉积是在一个加热反应器中的衬底上连续引入至少两种气相前驱体物种，化学吸附的过程直至表面饱和时就自动终止，适当的过程温度阻碍了分子在表面的物理吸附。目前可以沉积的材料包括：氧化物，氮化物，氟化物，金属，碳化物，复合结构，硫化物，纳米薄层等。中空纳米管，隧道势垒层，光电电池性能的提高，纳米孔道尺寸的控制，高高宽比纳米图形，微机电系统（MEMS）的反静态阻力涂层和疏水涂层的种子层，纳米晶体，ZnSe涂层，纳米结构，中空纳米碗，存储硅量子点涂层，纳米颗粒的涂层，纳米孔内部的涂层，纳米线的涂层。上述领域并不代表原子层沉积技术的所有可能应用领域，随着科技的发展在不远的将来将会发现其越来越多的应用。根据该技术的反应原理特征，各类不同的材料都可以沉积出来。已经沉积的材料包括金属、氧化物、碳（氮、硫、硅）化物、各类半导体材料和超导材料等。现在原子层沉积系统有国际品牌和自主。
