如何确定半导体是直接带隙还是间接带隙的？
纳米半导体ZnS的带隙（能隙）是多少？？上下值各是多少？？ ZnS是一种直接带隙的半导体材料，具有闪锌矿和纤锌矿两种结构，禁带宽度为3.6～3.8eV，它具有良好的光电性能，广泛应用于各种光学和光电器件中，如薄膜电致发光显示器件、。
为什么直接带隙半导体的发射带为窄带 简单点说，从能带图2113谱可以看出，间接带隙半导体中的电5261子在跃4102迁时K值会发生变化，这意味着电子跃迁前1653后在K空间的位置不一样了，这样会极大的几率将能量释放给晶格，转化为声子，变成热能释放掉。而直接带隙中的电子跃迁前后只有能量变化，而无位置变化，于是便有更大的几率将能量以光子的形式释放出来。想让间接带隙材料发光，可以采用参杂引入客发光体，将能量引入客发光体使其发光（提高发光效率）
纳米半导体ZnS的带隙（能隙）是多少？？上下值各是多少？？ 纳米半导体ZnS的带隙（能隙）是多少？上下值各是多少？纳米半导体ZnS的带隙（能隙）是多少？上下值各是多少？如果要选一种有机聚合物与之组成太阳能电池，需要符合什么条件。
什么样带隙的半导体材料适合做LED？为什么？ LED一般应该采用直接bai带隙半导du体材料，如砷化镓zhi；因为这种半导体dao载流子的辐回射复合几率答很大，发光效率高。不过，常用的发红光、发黄光的二极管，多是采用间接带隙半导体材料GaP来制作的，但是必须要在其中掺入所谓等电子杂质来提高发光效率才行。
宽禁带半导体的带隙宽度比第一二代半导体的大说明什么？ SiC及GaN等第三代半导体的带隙宽度以及饱和电子迁移率比前两代半导体的大，为什么就能说明SiC及GaN更适合…
直接带隙和间接带隙是怎么回事？ 直接带隙半导体材料就是导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中同一位置.电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只需要吸收能量.间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中.
