什么叫刷新？为什么要刷新？说明刷新有几种方法。 共3 结合题可以更好地去理解，如果不是为了理解，是为了copy答案的话，你把后面解析抄上就行.和标答不一样，也有辨识度。一个 8K×8 位的动态 RAM 芯片，其内部结构。
集中刷新，分散刷新，异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少 一个 8K×8 位的动态 RAM 芯片，其内部结构排列成 256×256 形式，存取周期为 0.1 μ s。试问采用集中刷新、分散刷新和异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少？解：采用分散刷新方式刷新间隔为：2ms，其中刷新死时间为：256×0.1 μ s=25.6 μ s采用分散刷新方式刷新间隔为：256×（0.1 μ s+×0.1 μ s）=51.2 μ s采用异步刷新方式刷新间隔为：2ms解析：(1).设DRAM中电容的电荷每2ms就会丢失，所以2ms内必须对其补充。补充电荷是按行来进行的，为了【全部】内存都能保住电荷，必须对【所有】的行都得补充。假设刷新1行的时间为0.1μs（刷新时间是等于存取周期的。因为刷新的过程与一次存取相同，只是没有在总线上输入输出。顺便说一下存取周期＞真正用于存取的时间，因为存取周期内、存取操作结束后仍然需要一些时间来更改状态。对于SRAM也是这样，对于DRAM更是如此）。并假设按存储单元(1B/单元)分为64行64列。（256×256个单元×1B/单元=2^16个单元×1B/单元=64KB内存<；=>；8K*8）。集中刷新：快到2ms的时候，停止一切对内存的读取操作，使用0.1μs×256对256行依次刷新。这将占用25.6μs。在这25.6μs中，内存只用来刷新，阻塞一切存取操作。补充一点给楼主：为什么刷新与。
使用存储容量为16K×1位的存储器芯片来组成一个64K×8位的存储器，则在字方向扩大了______倍 字方向扩大了4倍，在位方向是扩展了8倍
dram的刷新方式一般有哪两种？ 集中刷新和分散隐含刷新 DRAM的刷新方式 常用刷新方式：教科书P84图3.14 ① 集中式-正常读/写操作与刷新操作分开进行，刷新集中完成。特点：存在一段停止读/写操作的死时间。
集中刷新，分散刷新，异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少 采用集中刷新方式刷新间隔为：2ms，其中刷新死时间为：256×0.1μs=25.6μs采用分散刷新方式刷新间隔为：256×（0.1μs+×0.1μs）=51.2μs 采用异步刷新方式刷新间隔为：2ms
设某机主存1MB，用1Mb/片的DRAM芯片构成方阵，芯片最大刷新周期2ms，问在2ms内至少应 嗯嗯 1.用16k×1位的dram芯片构成64k×8位的存贮器。要求：（1）画出该寄存起组成的逻辑框图。（2）设存贮器读/写周期均为0.5μs，cpu在1μs内至少要访存一次。。
DRAM的集中刷新、分散刷新、异步刷新策略都是什么区别？采用集中刷新方式刷新间隔为：2ms，其中刷新死时间为：256×0.1μs=25.6μs采用分散刷新方式刷新间隔为：256：-异步。
