光催化活性与禁带宽度成正比吗？？ 半导体光催化活性与带隙2113宽度有一定5261关系，但是不是成正比。4102有些光催化1653剂是通过掺杂而增大带隙，也有的是通过掺杂而使带隙变窄，但光催化活性提高了。一般是通过掺杂使光催化剂的吸收边向长波方向移动，会增大光吸收率，从而提高光催化活性。总之，提高光催化活性是真正目的，改变其带隙只是方法。“导带电位变得更负，而价带电位变得更正，使光生电子和空穴具有更强的氧化还原能力这句话感觉说的有点牵强，因为不是所有的都如此。以上是个人的理解，供参考。
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