稳压二极管 齐纳击穿时温度系数为负。雪崩击穿时温度系数为正。怎么解释温度与击穿电压的关系？为什么齐 齐纳击穿发生在高掺杂浓度的PN结中，当PN结的掺杂浓度很高时，阻挡层很薄，载流子在阻挡层内与中性原子相碰撞的机会极小，因而不容易发生碰撞电离。但是，在这种阻挡层内，。
齐纳二极管中为什么雪崩击穿的反向击穿电压值具有正温度系数 我来试一试（为什么雪崩击穿的反向击穿电压值具有正温度系数）分一下几个过程：1、温度升高，晶格的热振动加剧，使载流子运动的平均自由程缩短；（也可以从迁移率下降来理解）2、平均自由程缩短就相当于加速跑道缩短了，而如果加速度（外加电压）不变的话，就达不到碰撞电离的速度（雪崩击穿）；3、那如果要达到碰撞电离的速度，我们就需要提高外界电压（即提高加速度），也就是雪崩击穿电压变大了；4、综上，温度升高导致雪崩击穿电压升高，即具有正温度系数。
雪崩式电离效应 我的理解与楼上差不多：分子本是中性，在电场中分子一般不会在电场作用下移动，当电场强到某一特定值(不能太强，太强就会强行将分子拉开—即电离了)时，分子还没有电离，但。
雪崩和齐纳击穿有什么用
为什么二极管的雪崩击穿是正温度系数？ 我想先解释什么是雪崩击穿。我想先解释什么是雪崩击穿。当反向电压足够大时，PN节的内电场加强，使少子漂移速度加快，动能增大，通过空间电荷区与原子相撞，产生很多的新。
为什么二极管的雪崩击穿是正温度系数？ 我想先解释百什么是雪崩击穿。当反向电压足够大时，PN节的内电场加强，使少子漂移速度加快，动能增大，通过空间电荷区与原子相撞，产生很多的新电子—空穴对度，这些新产生的电子又会去撞击更多的原子，这种作用如同雪崩一样知，使电流急剧增加，故这种击穿被称为雪崩击穿。雪崩击穿发生在掺杂浓度较低的PN结中，因为这种PN结的阻挡层宽，因碰撞而道电离的机会就多。当温度上升时，载流子浓度增大，导致PN结的阻挡层变窄，碰撞而电离的机会就大大专减少，即雪崩式的撞击大大减少，雪崩击穿发生的难度就会增大。故温度升高，雪崩击穿所需的反向电压也需要更大属。解释完毕。
为什么雪崩击穿是正温度系数？齐纳击穿是负温度系数？ 1.pn结电导率与pn结的载流子浓度成正比关系2.与pn结材料迁移率成正比3.迁移率与电场强度关系，强电场下趋…
