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晶格和晶胞有何区别? 超晶格和超点阵

2021-03-17知识4

王竹溪的主要成就 超点阵相变的研究王竹溪一生的科学研究,涉及理论物理众多领域,尤以统计物理和热力学见长。在湍流尾流、气体扩散、吸附作用、超点阵(超晶格)和有序-无序相变、高级相变、气体性质、多元溶液、热力学平衡与稳定性、绝对热力学温标、热力学第三定律、植物细胞的吸水、物质内部有辐射的热传导以及基本物理常数的确定等方面发表论文30多篇。其中最重要的,当推超点阵统计理论。在30年代前后,气体统计理论已经发展到顶峰,统计物理研究前沿开始转向相变问题。1925年E.伊辛(Ising)提出并求解了一维自旋点阵模型,1934年W.L.布喇格(Bragg)和E.J.威廉斯(Williams)提出了长程序概念和平均场近似,H.A.贝特(Bethe)在此基础上于1935年发表了只考虑短程序的超点阵统计理论。贝特的超点阵统计理论,假设原子间只有近邻相互作用,讨论两组元浓度相等的二元合金,不算配分函数而用间接办法近似求得了超点阵序及其他平衡值,从而讨论了超点阵的有序-无序相变。这是超点阵问题的基础性工作,立即引起广泛注意。R.E.派尔斯(Peierls)于次年把它推广到组元浓度不相等的情形,再次年,当时与王竹溪同在福勒指导下做研究生的张宗燧又把它推广,包括了次近邻原子对之间的。

半导体超晶格有哪些类型,及其能带结构的特点 超晶格材料按形成它的异质结类型分为第一类、第二类和第三类超晶格。第一二三类超晶格第一类超晶格的导带和价带由同一层的半导体材料形成。第二类超晶格的导带和价带在不同层中形成,因此电子和空穴被束缚在不同半zd导体材料层中。第三类超晶格涉及半金属材料。尽管导带底和价带顶在相同的半导体层中产生,与第一类超晶格相似,但其带隙可从半导体到零带隙到半金属负带隙之间连续调整。[1]超晶格又分以下几种1.组分超晶格:在超晶格结构中,如果超晶格的重复单元是由不同半导体材料的薄内膜堆垛而成的 叫做组分超晶格2.掺杂超晶格:在同一种半导体中,用交替地改变掺杂类型的方法做成的新型人造周期性半导体结构的材料掺杂超晶格的优点:任何一种半导体材料只要很好控制掺杂类型都可以做成超晶格;多层结构的完整性非常好,由于掺杂量一般比较小,杂质引起的晶格畸变也较小,掺杂超晶格中没有像组分超晶格那样明显的异质界面;掺杂超晶格的有效能量隙可以具有从零到容位调制的基体材料能量隙之间的任何值,取决于各分层厚度和掺杂浓度的选择。3.多维超晶格4.应变超晶格

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改变一个闭合超导体线圈内的磁通量,超导体为什么不产生无穷大的电流?是不是与导磁性有关?注:我所说的电流是感应电流

什么是xrd分析 什么是xrd分析 研究X射线波长和一般晶体晶格参数发现,两者的尺寸是数值相当或比较接近,从而有科学家断言,晶体晶格是X射线发生衍射现象的天然栅栏!。

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