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怎么判断场效应管损坏 怎么判断场效应管是不是坏了.

2021-03-11知识9

怎样判断主板场效应管的好坏 场效应管的检测方法:把数字万用表打到二极管档,用两表笔任意触碰场效应管的三只引脚,好的场效应管在量测的时候只应有一次有读数,而且数值在300-800左右, 。

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场效应管损坏是怎么烧坏的 造成损坏的原因可能有几个:1.缺少保护电路.一般来说电路中应适当设置保护电路.以吸收电路中的瞬间高压.浪涌电压.保护关键元件.2.参数选取不合理.没有余地.效应管的耐压。.

场效应管损坏是怎么烧坏的? 驱动精灵2008 Beta4 http://www.onlinedown.net/soft/3450.htm 常见的显示器故障现象如下:(1)开机无显示、显示器经常不加电。(2)显示器屏幕上的字符显示比较模糊。。

如何测试判断场效应管好坏? 1、场效应管的检测方法:2113把数5261字万用表打到二极管档,用两表笔任意触碰场效4102应管的三只引1653脚,好的场效应管在量测的时候只应有一次有读数,而且数值在300-800左右,2、如果在最终测量结果中测的只有一次有读数,并且为0时须万用表短接场效应管的引脚,3、重新测量一次,若又测得一组为300-800左右读数时此管也为好管。4、将万用表开到二极管档,用万用表的两个表笔量测D、S极和G、S极,看看两极之间的读数是不是很小,如果这个值在50以下,则可以判断为这个效应管已经被击穿场效应管(Field Effect Transistor)又称场效应晶体管,是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管,[1]它属于电压控制型半导体器件。主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。场效应管具有输入电阻高(10 7~10 15Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和 功率晶体管的强大竞争者。与 双极型晶体管相比,场效应管具有如下特点。(1)场效应管是电压控制 。

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如何用万用表判断场效应管好坏。 一、定性判断场效应管的好坏e69da5e6ba903231313335323631343130323136353331333431356635先用万用表R×10kΩ挡(内置有15V电池),把负表笔(黑)接栅极(G),正表笔(红)接源极(S).给栅、源极之间充电,此时万用表指针有轻微偏转.再改用万用表R×1Ω挡,将负表笔接漏极(D),正笔接源极(S),万用表指示值若为几欧姆,则说明场效应管是好的二、判断结型场效应管的电极将万用表拨至R×100档,红表笔任意接一个脚管,黑表笔则接另一个脚管,使第三脚悬空.若发现表针有轻微摆动,就证明第三脚为栅极.欲获得更明显的观察效果,还可利用人体靠近或者用手指触摸悬空脚,只要看到表针作大幅度偏转,即说明悬空脚是栅极,其余二脚分别是源极和漏极.判断理由:JFET的输入电阻大于100MΩ,并且跨导很高,当栅极开路时空间电磁场很容易在栅极上感应出电压信号,使管子趋于截止,或趋于导通.若将人体感应电压直接加在栅极上,由于输入干扰信号较强,上述现象会更加明显.如表针向左侧大幅度偏转,就意味着管子趋于截止,漏-源极间电阻RDS增大,漏-源极间电流减小IDS.反之,表针向右侧大幅度偏转,说明管子趋向导通,RDS↓,IDS↑.但表针究竟向哪个方向偏转,应视感应电压的极性(正向电压或反向电压)及。

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